廣東吉田半導體材料有限公司成立于 2023 年，總部位于東莞松山湖經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)，注冊資本 2000 萬元。作為高新企業(yè)和廣東省專精特新企業(yè)，公司專注于半導體材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、LCD 光刻膠、納米壓印光刻膠、半導體錫膏、焊片及靶材等領域。其光刻膠產(chǎn)品以高分辨率、耐蝕刻性和環(huán)保特性著稱，廣泛應用于芯片制造、顯示面板及精密電子元件生產(chǎn)。
公司依托 23 年行業(yè)經(jīng)驗積累，構建了完整的技術研發(fā)體系，擁有全自動化生產(chǎn)設備及多項技術。原材料均選用美國、德國、日本進口的材料，并通過 ISO9001:2008 質量管理體系認證，生產(chǎn)流程嚴格執(zhí)行 8S 現(xiàn)場管理標準，確保產(chǎn)品穩(wěn)定性與一致性。目前，吉田半導體已與多家世界 500 強企業(yè)及電子加工企業(yè)建立長期合作，產(chǎn)品遠銷全球市場，致力于成為半導體材料領域的企業(yè)。
吉田技術自主化與技術領域突破！青海正性光刻膠國產(chǎn)廠家
光刻膠（如液晶平板顯示器光刻膠）
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液晶平板顯示器制造：在液晶平板顯示器（LCD）的生產(chǎn)過程中，光刻膠用于制作液晶盒內(nèi)的各種精細圖案，包括像素電極、公共電極、取向層圖案等。這些圖案的精度和質量直接影響液晶顯示器的顯示效果，如分辨率、對比度、視角等。
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有機發(fā)光二極管顯示器（OLED）制造：OLED 顯示器的制造同樣需要光刻膠來制作電極、像素定義層等關鍵結構。OLED 顯示器具有自發(fā)光、響應速度快等優(yōu)點，而光刻膠能保障其精細的像素結構制作，提升顯示器的發(fā)光效率和顯示質量 。
珠海激光光刻膠廠家水性感光膠推薦吉田 JT-1200，水油兼容配方，鋼片加工精度 ±5μm！
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全品類覆蓋
吉田半導體產(chǎn)品線涵蓋正性 / 負性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等，覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領域需求，技術布局全面性于多數(shù)國內(nèi)廠商。
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關鍵技術突破
納米壓印技術：JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達 250℃，支持納米級精度圖案復制，適用于第三代半導體（GaN/SiC）及 Mini LED 等新興領域，技術指標接近國際先進水平。
水性環(huán)保配方：JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機溶劑，低 VOC 排放，符合 RoHS 和 REACH 標準，環(huán)保性能優(yōu)于同類產(chǎn)品。
厚膜工藝能力：JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控（達數(shù)十微米），滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
感光機制
重氮型（雙液型）：需混合光敏劑（如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉），曝光后通過交聯(lián)反應固化，適用于精細圖案（如PCB電路線寬≤0.15mm）。
SBQ型（單液型）：預混光敏劑，無需調(diào)配，感光度高（曝光時間縮短30%），適合快速制版（如服裝印花）。
環(huán)保型：采用無鉻配方（如CN10243143A），通過多元固化體系（熱固化+光固化）實現(xiàn)12-15mJ/cm快速曝光，分辨率達2μm，符合歐盟REACH標準。
功能細分
耐溶劑型：如日本村上AD20，耐酒精、甲苯等溶劑，適用于電子油墨印刷。
耐水型：如瑞士科特1711，抗水性強，適合紡織品水性漿料。
厚版型：如德國Kppen厚版膠，單次涂布可達50μm，用于立體印刷。
典型應用場景：
PCB制造：使用360目尼龍網(wǎng)+重氮感光膠，配合LED曝光（405nm波長），實現(xiàn)0.15mm線寬，耐酸性蝕刻液。
紡織印花：圓網(wǎng)制版采用9806A型感光膠，涂布厚度20μm，耐堿性染料色漿，耐印率超10萬次。
包裝印刷：柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材，UV-LED曝光+無溶劑工藝，碳排放降低40%。
吉田半導體光刻膠，45nm 制程驗證，國產(chǎn)替代方案！
關鍵工藝流程
涂布與前烘：
旋涂或噴涂負性膠，厚度可達1-100μm（遠厚于正性膠），前烘溫度60-90℃，去除溶劑并增強附著力。
曝光：
光源以**汞燈G線（436nm）**為主，適用于≥1μm線寬，曝光能量較高（約200-500mJ/cm），需注意掩膜版與膠膜的貼合精度。
顯影：
使用有機溶劑顯影液（如二甲苯、醋酸丁酯），未曝光的未交聯(lián)膠膜溶解，曝光的交聯(lián)膠膜保留。
后處理：
后烘（Post-Bake）：加熱（100-150℃）進一步固化交聯(lián)結構，提升耐干法蝕刻或濕法腐蝕的能力。
厚板光刻膠 JT-3001，抗深蝕刻，PCB 電路板制造Preferred!浙江厚膜光刻膠
納米壓印光刻膠哪家強？吉田半導體附著力提升 30%！青海正性光刻膠國產(chǎn)廠家
納米電子器件制造
半導體芯片：在22nm以下制程中，EUV光刻膠（分辨率≤10nm）用于制備晶體管柵極、納米導線等關鍵結構，實現(xiàn)芯片集成度提升（如3nm制程的FinFET/GAA晶體管）。
二維材料器件：在石墨烯、二硫化鉬等二維材料表面，通過電子束光刻膠定義納米電極陣列，構建單原子層晶體管或傳感器。
納米光子學與超材料
光子晶體與波導：利用光刻膠制備亞波長周期結構（如光子晶體光纖、納米級波導彎頭），調(diào)控光的傳播路徑，用于集成光路或量子光學器件。
超材料設計：在金屬/介質基底上刻蝕納米級“魚網(wǎng)狀”“蝴蝶結”等圖案（如太赫茲超材料），實現(xiàn)對電磁波的超常調(diào)控（吸收、偏振轉換）。
青海正性光刻膠國產(chǎn)廠家
