超表面通過(guò)納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光場(chǎng)，傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機(jī)的激光直寫(xiě)技術(shù)在石英基底上實(shí)現(xiàn)了亞波長(zhǎng)量級(jí)的圖案曝光，將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學(xué)實(shí)驗(yàn)室利用該設(shè)備，研制出寬帶消色差超表面透鏡，在 400-1000nm 波長(zhǎng)范圍內(nèi)成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實(shí)時(shí)優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù)，使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時(shí)，推動(dòng)超表面技術(shù)從理論走向集成光學(xué)應(yīng)用。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)�？鐚W(xué)科應(yīng)用：覆蓋微機(jī)械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領(lǐng)域。四川PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

在微流體領(lǐng)域，Polos系列光刻機(jī)通過(guò)無(wú)掩模技術(shù)實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜3D流道結(jié)構(gòu)的快速成型。例如，中科院理化所利用類(lèi)似技術(shù)制備跨尺度微盤(pán)陣列，研究細(xì)胞球浸潤(rùn)行為，為組織工程提供了新型生物界面設(shè)計(jì)策略10。Polos設(shè)備的精度與靈活性可支持此類(lèi)仿生結(jié)構(gòu)的批量生產(chǎn)，推動(dòng)醫(yī)療診斷芯片的研發(fā)。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。四川PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米全球產(chǎn)業(yè)鏈整合：德國(guó)精密制造背書(shū)，與Lab14集團(tuán)共推光通信芯片封裝技術(shù)。

Polos光刻機(jī)在微機(jī)械加工中表現(xiàn)outstanding。其亞微米分辨率可制造80 m直徑的開(kāi)環(huán)諧振器和2 m叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開(kāi)發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)（如Nanoscribe系統(tǒng)），用戶還能擴(kuò)展至3D微納結(jié)構(gòu)打印，為微型機(jī)器人及光學(xué)元件提供多尺度制造方案。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。

在科研領(lǐng)域，設(shè)備的先進(jìn)程度往往決定了研究的深度與廣度。德國(guó)的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻機(jī) POLOS 帶來(lái)了革新之光。它們運(yùn)用無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，摒棄了傳統(tǒng)光刻中昂貴且制作周期長(zhǎng)的掩模，極大降低了成本。這些光刻機(jī)可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光，在微流體、電子學(xué)和納 / 微機(jī)械系統(tǒng)等領(lǐng)域大顯身手。例如在微流體研究中，能precise制造復(fù)雜的微通道網(wǎng)絡(luò)，助力藥物傳輸、細(xì)胞培養(yǎng)等研究。在電子學(xué)方面，可實(shí)現(xiàn)高精度的電路圖案曝光，為芯片研發(fā)提供有力支持。其占用空間小，對(duì)于空間有限的研究實(shí)驗(yàn)室來(lái)說(shuō)堪稱(chēng)完美。憑借出色特性，它們已助力眾多科研團(tuán)隊(duì)取得成果，成為科研創(chuàng)新的得力助手 。掩模制備時(shí)間歸零，科研人員耗時(shí)減少 60%，項(xiàng)目交付周期縮短 50%。

某能源研究團(tuán)隊(duì)采用 Polos 光刻機(jī)制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極，器件的能量轉(zhuǎn)換效率達(dá) 35%，在 10Hz 振動(dòng)下可輸出 50μW/cm 的功率。通過(guò)自定義電極間距和厚度，該收集器可適配不同頻率的環(huán)境振動(dòng)，在智能穿戴設(shè)備中實(shí)現(xiàn)了運(yùn)動(dòng)能量的實(shí)時(shí)采集與存儲(chǔ)。其輕量化設(shè)計(jì)（體積 < 1mm）還被用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點(diǎn)，使傳感器續(xù)航時(shí)間從 3 個(gè)月延長(zhǎng)至 2 年。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。無(wú)掩模激光直寫(xiě)技術(shù)：無(wú)需物理掩膜，軟件直接輸入任意圖案，降低成本與時(shí)間。上海桌面無(wú)掩模光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

環(huán)保低能耗設(shè)計(jì)：固態(tài)光源能耗較傳統(tǒng)設(shè)備降低30%，符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)。四川PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。四川PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米