對(duì)于高價(jià)值的晶圓產(chǎn)品，切割過程中的追溯性尤為重要。中清航科的切割設(shè)備內(nèi)置二維碼追溯系統(tǒng)，每片晶圓進(jìn)入設(shè)備后都會(huì)生成單獨(dú)的二維碼標(biāo)識(shí)，全程記錄切割時(shí)間、操作人員、工藝參數(shù)、檢測(cè)結(jié)果等信息，可通過掃碼快速查詢?nèi)鞒虜?shù)據(jù)，為質(zhì)量追溯與問題分析提供完整依據(jù)。在晶圓切割的邊緣處理方面，中清航科突破傳統(tǒng)工藝限制，開發(fā)出激光倒角技術(shù)?？稍谇懈畹耐瑫r(shí)完成晶圓邊緣的圓弧處理，倒角半徑可精確控制在 5-50μm 范圍內(nèi)，有效減少邊緣應(yīng)力集中，提高晶圓的機(jī)械強(qiáng)度。該技術(shù)特別適用于需要多次搬運(yùn)與清洗的晶圓加工流程。針對(duì)柔性晶圓，中清航科開發(fā)低溫切割工藝避免材料變性。常州半導(dǎo)體晶圓切割企業(yè)

為提升芯片產(chǎn)出量，中清航科通過刀片動(dòng)態(tài)平衡控制+激光輔助定位，將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導(dǎo)槽設(shè)計(jì)減少材料浪費(fèi)，使12英寸晶圓有效芯片數(shù)增加18%，明顯降低單顆芯片制造成本。切割產(chǎn)生的亞微米級(jí)粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置，在切割點(diǎn)10mm范圍內(nèi)形成負(fù)壓場(chǎng)，配合離子風(fēng)刀清理殘留顆粒，潔凈度達(dá)Class 1標(biāo)準(zhǔn)（>0.3μm顆粒<1個(gè)/立方英尺）。中清航科設(shè)備內(nèi)置AOI（自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)）模塊，采用多光譜成像技術(shù)實(shí)時(shí)識(shí)別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內(nèi)完成芯片級(jí)判定，不良品自動(dòng)標(biāo)記，避免后續(xù)封裝資源浪費(fèi)，每年可為客戶節(jié)省品質(zhì)成本超百萬(wàn)。臺(tái)州砷化鎵晶圓切割廠中清航科推出晶圓切割應(yīng)力模擬軟件，提前預(yù)判崩邊風(fēng)險(xiǎn)。

在碳化硅晶圓切割領(lǐng)域，由于材料硬度高達(dá)莫氏 9 級(jí)，傳統(tǒng)切割方式面臨效率低下的問題。中清航科創(chuàng)新采用超高壓水射流與激光復(fù)合切割技術(shù)，利用水射流的冷卻作用抑制激光切割產(chǎn)生的熱影響區(qū)，同時(shí)借助激光的預(yù)熱作用降低材料強(qiáng)度，使碳化硅晶圓的切割效率提升 3 倍，熱影響區(qū)控制在 10μm 以內(nèi)。晶圓切割設(shè)備的可靠性是大規(guī)模生產(chǎn)的基礎(chǔ)保障。中清航科對(duì)中心部件進(jìn)行嚴(yán)格的可靠性測(cè)試，其中激光振蕩器經(jīng)過 10 萬(wàn)小時(shí)連續(xù)運(yùn)行驗(yàn)證，機(jī)械導(dǎo)軌的壽命測(cè)試達(dá)到 200 萬(wàn)次往復(fù)運(yùn)動(dòng)無故障。設(shè)備平均無故障時(shí)間（MTBF）突破 1000 小時(shí)，遠(yuǎn)超行業(yè) 800 小時(shí)的平均水平，為客戶提供穩(wěn)定可靠的生產(chǎn)保障。

在晶圓切割的邊緣檢測(cè)精度提升上，中清航科創(chuàng)新采用雙攝像頭立體視覺技術(shù)。通過兩個(gè)高分辨率工業(yè)相機(jī)從不同角度采集晶圓邊緣圖像，經(jīng)三維重建算法精確計(jì)算邊緣位置，即使晶圓存在微小翹曲，也能確保切割路徑的精確定位，邊緣檢測(cè)誤差控制在 1μm 以內(nèi)，大幅提升切割良率。為適應(yīng)半導(dǎo)體工廠的能源管理需求，中清航科的切割設(shè)備配備能源監(jiān)控與分析系統(tǒng)。實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)設(shè)備的電壓、電流、功率等能源參數(shù)，生成能耗分析報(bào)表，識(shí)別能源浪費(fèi)點(diǎn)并提供優(yōu)化建議。同時(shí)支持峰谷用電策略，可根據(jù)工廠電價(jià)時(shí)段自動(dòng)調(diào)整運(yùn)行計(jì)劃，降低能源支出。晶圓切割粉塵控制選中清航科靜電吸附系統(tǒng)，潔凈度達(dá)標(biāo)Class1。

晶圓切割作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接影響芯片的良率與性能。中清航科憑借多年行業(yè)積淀，研發(fā)出高精度激光切割設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)小切割道寬達(dá) 20μm，滿足 5G 芯片、車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體等領(lǐng)域的加工需求。其搭載的智能視覺定位系統(tǒng)，能實(shí)時(shí)校準(zhǔn)晶圓位置偏差，將切割精度控制在 ±1μm 以內(nèi)，為客戶提升 30% 以上的生產(chǎn)效率。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速迭代的當(dāng)下，晶圓材料呈現(xiàn)多元化趨勢(shì)，從傳統(tǒng)硅基到碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體，切割工藝面臨更大挑戰(zhàn)。中清航科針對(duì)性開發(fā)多材料適配切割方案，通過可調(diào)諧激光波長(zhǎng)與動(dòng)態(tài)功率控制技術(shù)，完美解決硬脆材料切割時(shí)的崩邊問題，崩邊尺寸可控制在 5μm 以下，助力第三代半導(dǎo)體器件的規(guī)?；a(chǎn)。切割冷卻液在線凈化裝置中清航科研發(fā)，雜質(zhì)濃度自動(dòng)控制＜1ppm。臺(tái)州砷化鎵晶圓切割廠

復(fù)合材料晶圓切割選中清航科多工藝集成設(shè)備，兼容激光與刀片。常州半導(dǎo)體晶圓切割企業(yè)

在晶圓切割的質(zhì)量檢測(cè)方面，中清航科引入了三維形貌檢測(cè)技術(shù)。通過高分辨率 confocal 顯微鏡對(duì)切割面進(jìn)行三維掃描，生成精確的表面粗糙度與輪廓數(shù)據(jù)，粗糙度測(cè)量精度可達(dá) 0.1nm，為工藝優(yōu)化提供量化依據(jù)。該檢測(cè)結(jié)果可直接與客戶的質(zhì)量系統(tǒng)對(duì)接，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的無縫流轉(zhuǎn)。針對(duì)晶圓切割過程中的熱變形問題，中清航科開發(fā)了恒溫控制切割艙。通過高精度溫度傳感器與 PID 溫控系統(tǒng)，將切割艙內(nèi)的溫度波動(dòng)控制在 ±0.1℃以內(nèi)，同時(shí)采用熱誤差補(bǔ)償算法，實(shí)時(shí)修正溫度變化引起的機(jī)械變形，確保在不同環(huán)境溫度下的切割精度穩(wěn)定一致。常州半導(dǎo)體晶圓切割企業(yè)