中清航科的晶圓切割設備通過了多項國際認證，包括 CE、FCC、UL 等，符合全球主要半導體市場的準入標準。設備設計嚴格遵循國際安全規(guī)范與電磁兼容性要求，可直接出口至歐美、日韓等地區(qū)，為客戶拓展國際市場提供設備保障。在晶圓切割的刀具校準方面，中清航科創(chuàng)新采用激光對刀技術。通過高精度激光束掃描刀具輪廓，自動測量刀具直徑、刃口角度等參數(shù)，并與標準值對比，自動計算補償值，整個校準過程只需 3 分鐘，較傳統(tǒng)機械對刀方式提升效率 80%，且校準精度更高。中清航科推出晶圓切割應力模擬軟件，提前預判崩邊風險。徐州碳化硅晶圓切割劃片

為幫助客戶應對半導體行業(yè)的技術人才短缺問題，中清航科推出 “設備 + 培訓” 打包服務。購買設備的客戶可獲得技術培訓名額，培訓內(nèi)容涵蓋設備操作、工藝調(diào)試、故障排除等，培訓結(jié)束后頒發(fā)認證證書。同時提供在線技術支持平臺，隨時解答客戶在生產(chǎn)中遇到的技術問題。隨著半導體器件向微型化、集成化發(fā)展，晶圓切割的精度要求將持續(xù)提升。中清航科已啟動亞微米級切割技術的產(chǎn)業(yè)化項目，計劃通過引入更高精度的運動控制系統(tǒng)與更短波長的激光源，實現(xiàn) 500nm 以內(nèi)的切割精度，為量子芯片、生物傳感器等前沿領域的發(fā)展提供關鍵制造設備支持。無錫藍寶石晶圓切割代工廠中清航科推出切割廢料回收服務，晶圓利用率提升至99.1%。

中清航科開放6條全自動切割產(chǎn)線，支持從8英寸化合物半導體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統(tǒng)實時追蹤進度，平均交貨周期48小時，良率承諾99.2%。先進封裝RDL層切割易引發(fā)銅箔撕裂。中清航科應用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護，在銅-硅界面形成納米級熔融區(qū)，剝離強度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺，收錄3000+材料參數(shù)組合?？蛻糨斎刖A類型/厚度/目標良率，自動生成比較好參數(shù)包，工藝開發(fā)周期縮短90%。

UV膜殘膠導致芯片貼裝失效。中清航科研發(fā)酶解清洗液，在50℃下選擇性分解膠層分子鏈，30秒清理99.9%殘膠且不損傷鋁焊盤，替代高污染溶劑清洗。針對3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu)，中清航科采用紅外視覺穿透定位+自適應焦距激光，實現(xiàn)128層晶圓的同步切割。垂直對齊精度±1.2μm，層間偏移誤差<0.3μm。中清航科綠色方案整合電絮凝+反滲透技術，將切割廢水中的硅粉、金屬離子分離回收，凈化水重復利用率達98%，符合半導體廠零液體排放（ZLD）標準。

中清航科IoT平臺通過振動傳感器+電流波形分析，提前72小時預警主軸軸承磨損、刀片鈍化等故障。數(shù)字孿生模型模擬設備衰減曲線，備件更換周期精度達±5%，設備綜合效率（OEE）提升至95%。機械切割引發(fā)的殘余應力會導致芯片分層失效。中清航科創(chuàng)新采用超聲波輔助切割，高頻振動（40kHz）使材料塑性分離，應力峰值降低60%。該技術已獲ISO 14649認證，適用于汽車電子AEC-Q100可靠性要求。Chiplet架構(gòu)需對同片晶圓分區(qū)切割。中清航科多深度切割系統(tǒng)支持在單次制程中實現(xiàn)5-200μm差異化切割深度，精度±1.5μm。動態(tài)焦距激光模塊配合高速振鏡，完成異構(gòu)芯片的高效分離。

中清航科全自動切割線配備AI視覺定位，精度達±1.5μm。徐州碳化硅晶圓切割劃片

隨著 Chiplet 技術的興起，晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續(xù)的異構(gòu)集成。中清航科開發(fā)的納米級定位切割系統(tǒng)，采用氣浮導軌與光柵尺閉環(huán)控制，定位精度達到 ±0.1μm，配合雙頻激光干涉儀進行實時校準，確保切割道位置與設計圖紙的偏差不超過 0.5μm，為 Chiplet 的高精度互聯(lián)奠定基礎。中清航科深諳半導體設備的定制化需求，可為客戶提供從工藝驗證到設備交付的全流程服務。其技術團隊會深入了解客戶的晶圓規(guī)格、材料特性與產(chǎn)能要求，定制專屬切割方案，如針對特殊異形 Die 的切割路徑優(yōu)化、大尺寸晶圓的分片切割策略等，已成功為多家頭部半導體企業(yè)完成定制化項目交付。徐州碳化硅晶圓切割劃片