安裝過程中,螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量;和接頭片接觸的散熱器表面應處理,保證平坦,10mm上允許偏差0.02mm;安裝力矩(帶墊圈)應在0.55nm 和0.8nm 之間;應避免使用自攻絲螺釘,因為擠壓可能導致安裝孔周圍的隆起,影響器件和散熱器之間的熱...
3、調(diào)節(jié)功率開關器件的通斷速度柵極電阻小,開關器件通斷快,開關損耗??;反之則慢,同時開關損耗大。但驅(qū)動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高,從而產(chǎn)生較大的干擾,嚴重的將使整個裝置無法工作,因此必須統(tǒng)籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種...
二極管的電路符號如圖1所示。二極管有兩個電極,由P區(qū)引出的電極是正極,又叫陽極;由N區(qū)引出的電極是負極,又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向,二極管的文字符號用VD表示。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結的單向?qū)щ娦?,在PN結上加上引線和封裝就成了一個...
反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結構,使價電子脫離共價鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊...
螺旋式熔斷器由瓷帽、熔斷管、瓷套、上接線座和下接線座及瓷底座等部分組成。熔斷管內(nèi)裝有熔絲和石英砂和帶小紅點的熔斷指示器,指示器指示熔絲是否熔斷。石英用于增強滅弧性能。螺旋式熔斷器螺旋式熔斷器的作用與插入式熔斷器相同,用于電氣設備的過載及短路保護。分斷能力較高,...
常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。...
光敏二極管,又叫光電二極管(英語:photodiode )是一種能夠?qū)⒐飧鶕?jù)使用方式,轉(zhuǎn)換成電流或者電壓信號的光探測器。管芯常使用一個具有光敏特征的PN結,對光的變化非常敏感,具有單向?qū)щ娦?,而且光強不同的時候會改變電學特性,因此,可以利用光照強弱來改變電路中...
當正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結內(nèi)電場被克服,二極管正向?qū)?,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導通時二極管的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極管的正向電壓。 [4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值 ,內(nèi)電場很快被削弱,特性電流迅速增長,...
·電流的確定: 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時, 可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電...
對于大功率IGBT,選擇驅(qū)動電路基于以下的參數(shù)要求:器件關斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,對IGBT的通態(tài)壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動條...
瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS,按照測量普通二極管的方法,可測出其正、反向電阻,一般正向電阻為4kΩ左右,反向電阻為無窮大。 [8]對于雙向極型的瞬態(tài)電壓抑制二極管,任意調(diào)換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大,否則,說明...
電力熔斷器的結構與熔斷器的結構大致相同。它主要由熔體、外殼和支座3部分組成,其中熔體是控制熔斷特性的關鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點和高熔點兩類。低熔點材料如鉛和鉛合金,其熔點低容易熔斷,由于其電阻率較大,故制成熔體的截面尺寸...
實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,對可控硅來說,觸發(fā)信號加入控制極,可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這...
晶閘管特性單向晶聞管的結構與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極,陰極K接電源的負極,控制極G通過按鈕開關SB接在1.5V直流電源的正極(這里使用...
b、主電路用螺絲擰緊,控制極g要用插件,盡可能不用焊接方式。c、裝卸時應采用接地工作臺,接地地面,接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測量時,將1000電阻與g極串聯(lián)。e、要在無電源時進行安裝。f,焊接g極時,電烙鐵要停電并接地,選用定溫電烙鐵**合適。當手工焊...
平面型二極管是一種特制的硅二極管,它不僅能通過較大的電流,而且性能穩(wěn)定可靠,多用于開關、脈沖及高頻電路中。在半導體單晶片(主要地是N型硅單晶片)上,擴散P型雜質(zhì),利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅單晶片上*選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此,不需要為調(diào)...
ISO-8820和QC/T420-2004等標準中將它定義為:接于電路中,當電流超過規(guī)定值和規(guī)定的時間時,使電路斷開的熔斷式保護器件。熔斷器是一個熱能響應器件,熔斷器中的熔片或熔絲是用電阻率較高的易熔合金制成,或用截面積較小的良導體制成。為了保護線束及其它設備...
將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián).再將控制板與本觸發(fā)電路連接,就組成了一個簡單實用的大功率無級調(diào)速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源,只要將負載與本電路串聯(lián)后接通電源,兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產(chǎn)生,調(diào)節(jié)電...
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。(五)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。常用可控硅的封...
快速熔斷器是一種熔斷器的一種,快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內(nèi)承受較大的過載電流,因此要求短路保護具有快速熔斷的能力??焖偃蹟嗥鞯慕Y構和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以...
二極管的電路符號如圖1所示。二極管有兩個電極,由P區(qū)引出的電極是正極,又叫陽極;由N區(qū)引出的電極是負極,又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向,二極管的文字符號用VD表示。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結的單向?qū)щ娦裕赑N結上加上引線和封裝就成了一個...
2. 額定電壓:熔斷器所在電路中的最高電壓不應超過熔斷器的額定電壓。3.額定電流:通過熔斷器的工作電流不應超過額定電流的75%。4. 短路截流能力:熔斷器所在的電路中可能出現(xiàn)的最大短路電流不應超過熔斷器的短路截流能力。5. 熔斷特性:熔斷器在出現(xiàn)需要切斷的過載...
(五)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。(六)過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),必須是過零點才觸發(fā),導通可控硅。(七)非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅,常見的是移相觸...
面接觸型二極管是一種特制的硅二極管,它不僅能通過較大的電流,而且性能穩(wěn)定可靠,多用于開關、脈沖及低頻電路中。面接觸型二極管是二極管中的一種。二極管種類有很多,按照所用的半導體材料,可分為鍺二極管(Ge管)和硅二極管(Si管)。根據(jù)其不同用途,可分為檢波二極管、...
二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 [1]。二極管有兩個電極,正極,又叫陽極;負極,又叫陰極,給二極管兩極間加上正向電壓時,二極管導通, 加上反向電壓時,二極管截止。 二極管的導通和截止,則相當于開關的接通與斷開 [2]。二極管具有單向?qū)щ?..
3、熔斷器應與配電裝置同時進行維修工作:(1)清掃灰塵,檢查接觸點接觸情況;(2)檢查熔斷器外觀(取下熔斷器管)有無損傷、變形,瓷件有無放電閃爍痕跡;(3)檢查熔斷器,熔體與被保護電路或設備是否匹配,如有問題應及時調(diào)查;(4)注意檢查在TN接地系統(tǒng)中的N線,設...
可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌?..
全范圍熔斷器,由高分斷能力熔斷器和噴射式熔斷器串聯(lián)組成的熔斷器,把熔體分成比一般熔斷器多幾倍的并聯(lián)熔體的結構,分斷低過載電流至額定分斷電流的熔斷器。能可靠分斷低過載電流至額定分斷電流的熔斷器。全范圍熔斷器有3種結構形式:①由高分斷能力熔斷器和噴射式熔斷器串聯(lián)組...
熔斷器的工作原則是一個簡單的I2R與時間的關系。電流越大,熔斷或開路時間越短。熔斷器的功耗與通過熔斷器的電流的平方成正比。當功耗過高時,熔斷器熔斷。這個特性同樣適用于受熔斷器保護的線束。如果產(chǎn)生的熱量超過散發(fā)的熱量,熔斷器的溫度就會增加,當溫度升到熔斷器的熔絲...
常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。...