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。不同的控制策略可以容易的被實現(xiàn)，特別是那些涉及外部輔助信號以顯著提高系統(tǒng)性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質(zhì)上是模塊化的，因此通過追加更多的TCR模塊就能達到擴容的目的，當然前提是不能超過耦合變壓器的容量。TCR不...

（3）器身：器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐，使繞組的端部的支撐面積達到95%以上，進一步提高了產(chǎn)品抗短路能力，提高產(chǎn)品的運行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結(jié)構(gòu)，克服了器身“懸空”和“頂蓋”現(xiàn)象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞，...

電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層...

當晶閘管全部導(dǎo)通時，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)。只在關(guān)斷時才會出現(xiàn)動態(tài)閂鎖。這一特殊現(xiàn)象嚴重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象，有必要采取以下措施：一是防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外，閂鎖...

在使用IGBT的場合，當柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程...

TCR的作用就像一個可變電納，改變觸發(fā)角就可以改變電納值，因為所加的交流電壓是恒定的，改變電納值就可以改變基波電流，從而導(dǎo)致電抗器吸收無功功率的變化。但是，當觸發(fā)角超過90°以后，電流變?yōu)榉钦业?，隨之就產(chǎn)生諧波。如果兩個晶閘管在正半波和負半波對稱觸發(fā)，就只會...

晶閘管模塊（Silicon Controlled Rectifier Module）是現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件之一，以下是對其的詳細介紹：一、基本原理晶閘管模塊是一種將晶閘管與換流電路等集成在一起的產(chǎn)品，采用模塊化設(shè)計，便于安裝和使用。其**元件晶閘管本身...

結(jié)構(gòu)特點（1）鐵芯：采用30Q130高導(dǎo)磁硅鋼片，同時采用選進的3～6級step-lap core stacking步進多級疊片方式，有較降低了空載損耗、空載電流和噪聲。（2）繞組：電磁線采用了高導(dǎo)電率的無氧銅導(dǎo)線，繞組采用園筒式、雙餅式和新型螺旋式等結(jié)構(gòu)的整...

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。IT(A...

橋式整流模塊是一種將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的電力電子器件，采用進口方形芯片、高級芯片支撐板，經(jīng)特殊燒結(jié)工藝，保證焊接層無空洞，使用更可靠。采用DCB板及其它高級導(dǎo)熱絕緣材料，導(dǎo)熱性能好，導(dǎo)熱基板不帶電（MDY2000型模塊除外），保證使用安全。熱循環(huán)負載次數(shù)超過國...

整流二極管是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?，把交流電變成脈動直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖3所示，另外，整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個外，還有比較大整流電流，是指整流二極管長時間的工作所允許通過的最大電流值。它是...

同時，晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢也日益明顯。通過集成先進的控制算法和通信技術(shù)，晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)更復(fù)雜的電力電子控制和能源管理功能，為未來的智能電網(wǎng)和分布式能源系統(tǒng)提供有力支持。綜上所述，晶閘管模塊作為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件，以其獨特的性能和廣闊的應(yīng)...

實際上，實際中的三相電抗器的參數(shù)不可能完全相同。三相供電電壓也不一定完全平衡。這種不平衡就會導(dǎo)致非特征諧波的產(chǎn)生，包括3倍數(shù)次諧波，擴散到線路中。正常情況下，非特征諧波的數(shù)值是非常小的。但在嚴重擾動的情況下，正負半波的觸發(fā)角可能不同，這就會導(dǎo)致直流分量的產(chǎn)生，...

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實現(xiàn)不同功能，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半...

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，比較好給處于截止狀態(tài)的IGBT加一反向...

通常，小規(guī)模的ipm的特點在于其引線框架技術(shù)。穿孔銅板用作功率開關(guān)和驅(qū)動ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進行散熱。 用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計特點是將模塊分為兩個層次。功率半導(dǎo)體在底部，驅(qū)動器和保護電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣比較大的ipm是賽...

當運行點到達控制范圍的**右端，節(jié)點電壓進一步升高后將不能由控制系統(tǒng)來補償，因為TCR的電抗器已經(jīng)處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，所以運行點將沿著對應(yīng)電抗器全導(dǎo)通(α=90°)的特性曲線向上移動，此時補償器運行在過負荷范圍，超過此范圍后，觸發(fā)控制將設(shè)置～個電流極限以防止晶閘...

5. ih：**小維持電流在室溫下，控制極開路、晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后，維持導(dǎo)通狀態(tài)所必須的**小電流。一般為幾十到一百多毫安。 6. ug、ig：控制極觸發(fā)電壓和電流 在室溫下， 陽極電壓為直流 6v 時，使晶閘管完全導(dǎo)通所必須的**小控制極直流電壓、電流 ...

三相全波整流橋不需要輸入電源的零線（中性線）。整流橋堆一般用在全波整流電路中。全橋是由6只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的，右圖為其外形。全橋的正向電流有5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值（比較高反向電壓）有50V、...

整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時，主要應(yīng)考慮其比較大整流電流、比較大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時間等參數(shù)。普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路中使用的整流二極管，對截止頻率的反向恢復(fù)時間要求不高，只要根據(jù)電路的要求選擇比較大整流電...

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

結(jié)構(gòu)特點（1）鐵芯：采用30Q130高導(dǎo)磁硅鋼片，同時采用選進的3～6級step-lap core stacking步進多級疊片方式，有較降低了空載損耗、空載電流和噪聲。（2）繞組：電磁線采用了高導(dǎo)電率的無氧銅導(dǎo)線，繞組采用園筒式、雙餅式和新型螺旋式等結(jié)構(gòu)的整...

整流電路常用整流電路為單相半波、單相全波、三相半波、三相全波（Y或△）橋式、三相曲折式（Zo形）、六相Y形（中點接線）、六相叉形（又曲折形）、六相Y形并聯(lián)橋式（帶平衡電抗器）、六相△Y形串聯(lián)橋式、十二相四曲折形帶平衡電抗器、六相Y形或△形式、六相（十二、二十四...

（3）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱底板相互隔離，導(dǎo)熱底板不帶電，絕緣強度≥2500V（RMS），保證人身安全。（4）三相交流模塊輸出對稱性好，直流分量小。大規(guī)格模塊具有過熱、過流、缺相保護作用。（5）輸入0～10V直流控制信號或0～5V直流控制信號、4～20mA...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...

TCR的作用就像一個可變電納，改變觸發(fā)角就可以改變電納值，因為所加的交流電壓是恒定的，改變電納值就可以改變基波電流，從而導(dǎo)致電抗器吸收無功功率的變化。但是，當觸發(fā)角超過90°以后，電流變?yōu)榉钦业?，隨之就產(chǎn)生諧波。如果兩個晶閘管在正半波和負半波對稱觸發(fā)，就只會...

若欲使可控硅關(guān)斷，也有兩個關(guān)斷條件：1） 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值；2） 使 A、K 之間電壓反向。可見，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發(fā)信號開通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次，才能使其關(guān)斷。若...

建筑與家用電器：在建筑照明系統(tǒng)中，晶閘管模塊通過智能模塊精確控制燈光亮度，可以實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的效果。同時，在空調(diào)、洗衣機、微波爐等家電中，晶閘管模塊用于實現(xiàn)準確的溫控和能耗管理，提高了設(shè)備的使用壽命和可靠性。醫(yī)療設(shè)備：晶閘管模塊用于控制X射線機、CT掃描儀等設(shè)備...

由此可見,交流電壓通過二極管的整流作用所得到的直流電壓ud是脈動的。一般負載需要供給平滑的直流電壓，因此在整流元件與負載之間常接有濾波器。濾波器對整流電流的直流分量無扼流作用，而對交流分量的感抗很大。這樣，就能在負載上得到平直的直流電壓Ud，其數(shù)值等于脈動電壓...