針對小批量多品種的研發(fā)型生產(chǎn)需求,中清航科提供柔性化切割解決方案。其模塊化設(shè)計的切割設(shè)備可在 30 分鐘內(nèi)完成不同規(guī)格晶圓的換型調(diào)整,配合云端工藝數(shù)據(jù)庫,存儲超過 1000 種標準工藝參數(shù),工程師可快速調(diào)用并微調(diào),大幅縮短新產(chǎn)品導(dǎo)入周期,為科研機構(gòu)與初創(chuàng)企業(yè)提供靈活高效的加工支持。晶圓切割后的檢測環(huán)節(jié)直接關(guān)系到后續(xù)封裝的質(zhì)量。中清航科將 AI 視覺檢測技術(shù)與切割設(shè)備深度融合,通過深度學(xué)習(xí)算法自動識別切割面的微裂紋、缺口等缺陷,檢測精度達 0.5μm,檢測速度提升至每秒 300 個 Die,實現(xiàn)切割與檢測的一體化流程,避免不良品流入下道工序造成的浪費。采用中清航科激光隱形切割技術(shù),晶圓分片效率提...
高速切割產(chǎn)生的局部高溫易導(dǎo)致材料熱變形。中清航科開發(fā)微通道冷卻刀柄技術(shù),在刀片內(nèi)部嵌入毛細管網(wǎng),通過相變傳熱將溫度控制在±1℃內(nèi)。該方案解決5G毫米波芯片的熱敏樹脂層脫層問題,切割穩(wěn)定性提升90%。針對2.5D/3D封裝中的硅中介層(Interposer)切割,中清航科采用階梯式激光能量控制技術(shù)。通過調(diào)節(jié)脈沖頻率(1-200kHz)與焦點深度,實現(xiàn)TSV(硅通孔)區(qū)域低能量切割與非TSV區(qū)高效切割的協(xié)同,加工效率提升3倍。傳統(tǒng)刀片磨損需停機檢測。中清航科在切割頭集成光纖傳感器,實時監(jiān)測刀片直徑變化并自動補償Z軸高度。結(jié)合大數(shù)據(jù)預(yù)測模型,刀片利用率提升40%,每年減少停機損失超200小時。中清航...
8 英寸晶圓在功率半導(dǎo)體、MEMS 等領(lǐng)域仍占據(jù)重要市場份額,中清航科針對這類成熟制程開發(fā)的切割設(shè)備,兼顧效率與性價比。設(shè)備采用雙主軸并行切割設(shè)計,每小時可加工 40 片 8 英寸晶圓,且通過優(yōu)化機械結(jié)構(gòu)降低振動噪聲至 65 分貝以下,為車間創(chuàng)造更友好的工作環(huán)境,深受中小半導(dǎo)體企業(yè)的青睞。晶圓切割工藝的數(shù)字化轉(zhuǎn)型是智能制造的重要組成部分。中清航科的切割設(shè)備內(nèi)置工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)模塊,可實時采集切割壓力、溫度、速度等 100 余項工藝參數(shù),通過邊緣計算節(jié)點進行實時分析,生成工藝優(yōu)化建議。客戶可通過云端平臺查看生產(chǎn)報表與趨勢分析,實現(xiàn)基于數(shù)據(jù)的精細化管理。第三代半導(dǎo)體切割中清航科提供全套解決方案,良率95...
中清航科開放6條全自動切割產(chǎn)線,支持從8英寸化合物半導(dǎo)體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統(tǒng)實時追蹤進度,平均交貨周期48小時,良率承諾99.2%。先進封裝RDL層切割易引發(fā)銅箔撕裂。中清航科應(yīng)用超快飛秒激光(脈寬400fs)配合氦氣保護,在銅-硅界面形成納米級熔融區(qū),剝離強度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺,收錄3000+材料參數(shù)組合??蛻糨斎刖A類型/厚度/目標良率,自動生成比較好參數(shù)包,工藝開發(fā)周期縮短90%。 中清航科全自動切割線配備AI視覺定位,精度達±1.5μm。金華半導(dǎo)體晶圓切割寬度針對航天電子需求,中清航科在屏蔽室內(nèi)完成切割(防宇宙射線干擾)。采用...
為滿足汽車電子追溯要求,中清航科在切割機集成區(qū)塊鏈模塊。每片晶圓生成單獨工藝參數(shù)數(shù)字指紋(含切割速度、溫度、振動數(shù)據(jù)),直通客戶MES系統(tǒng),實現(xiàn)零缺陷溯源。面向下一代功率器件,中清航科開發(fā)等離子體輔助切割(PAC)。利用微波激發(fā)氧等離子體軟化切割區(qū)材料,同步機械分離,切割效率較傳統(tǒng)方案提升5倍,成本降低60%。邊緣失效區(qū)(Edge Exclusion Zone)浪費高達3%晶圓面積。中清航科高精度邊緣定位系統(tǒng)通過AI識別有效電路邊界,定制化切除輪廓,使8英寸晶圓可用面積增加2.1%,年省材料成本數(shù)百萬。 中清航科切割耗材全球供應(yīng)鏈,保障客戶生產(chǎn)連續(xù)性。南京半導(dǎo)體晶圓切割測試中清航科的...
中清航科CutSim軟件建立熱-力-流體耦合模型,預(yù)測切割溫度場/應(yīng)力場分布。輸入材料參數(shù)即可優(yōu)化工藝,客戶開發(fā)周期縮短70%,試錯成本下降$50萬/項目。針對MEMS陀螺儀等真空封裝器件,中清航科提供10??Pa級真空切割艙。消除空氣阻尼影響,切割后器件Q值保持率>99.8%,良率提升至98.5%。中清航科AI排程引擎分析晶圓MAP圖,自動規(guī)劃切割路徑與順序。材料利用率提升7%,設(shè)備空閑率下降至8%,支持動態(tài)插單響應(yīng)(切換時間<5分鐘)。晶圓切割大數(shù)據(jù)平臺中清航科開發(fā),實時分析10萬+工藝參數(shù)。麗水碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割寬度晶圓切割過程中產(chǎn)生的應(yīng)力可能導(dǎo)致芯片可靠性下降,中清航科通過有限元分析...
中清航科創(chuàng)新性推出“激光預(yù)劃+機械精切”復(fù)合方案:先以激光在晶圓表面形成引導(dǎo)槽,再用超薄刀片完成切割。此工藝結(jié)合激光精度與刀切效率,解決化合物半導(dǎo)體(如GaAs、SiC)的脆性開裂問題,加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應(yīng)力集中等痛點。中清航科全自動切割機配備多軸聯(lián)動補償系統(tǒng),通過實時監(jiān)測晶圓形變動態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤,將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi),支持3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu)加工。中清航科切割工藝白皮書下載量超10萬次,成行業(yè)參考標準。蘇州砷化鎵晶圓切割廠隨著半導(dǎo)體市場需求的快速變化,產(chǎn)品迭代周期不斷縮短,這對晶圓切割的快速響應(yīng)能力提出更高要求...
通過拉曼光譜掃描切割道,中清航科提供殘余應(yīng)力分布云圖(分辨率5μm),并推薦退火工藝參數(shù)。幫助客戶將芯片翹曲風(fēng)險降低70%,服務(wù)已用于10家頭部IDM企業(yè)。中清航科技術(shù)結(jié)合機械切割速度與激光切割精度:對硬質(zhì)區(qū)采用刀切,對脆弱區(qū)域切換激光加工。動態(tài)切換時間<0.1秒,兼容復(fù)雜芯片結(jié)構(gòu),加工成本降低28%。舊設(shè)備切割精度不足?中清航科提供主軸/視覺/控制系統(tǒng)三大模塊升級包。更換高剛性主軸(跳動<0.5μm)+12MP智能相機,精度從±10μm提升至±2μm,改造成本只為新機30%。MEMS器件晶圓切割中清航科特殊保護層技術(shù),結(jié)構(gòu)完整率99%。宿遷藍寶石晶圓切割刀片在碳化硅晶圓切割領(lǐng)域,由于材料硬度...
半導(dǎo)體制造對潔凈度要求嚴苛,晶圓切割環(huán)節(jié)的微塵污染可能導(dǎo)致芯片失效。中清航科的切割設(shè)備采用全封閉防塵結(jié)構(gòu)與高效 HEPA 過濾系統(tǒng),工作區(qū)域潔凈度達到 Class 1 標準,同時配備激光誘導(dǎo)等離子體除塵裝置,實時清理切割產(chǎn)生的微米級顆粒,使產(chǎn)品不良率降低至 0.1% 以下。在成本控制成為半導(dǎo)體企業(yè)核心競爭力的現(xiàn)在,中清航科通過技術(shù)創(chuàng)新實現(xiàn)切割耗材的大幅節(jié)約。其自主研發(fā)的金剛石切割刀片,使用壽命較行業(yè)平均水平延長 50%,且通過刀片磨損實時監(jiān)測與自動補償技術(shù),減少頻繁更換帶來的停機損失,幫助客戶降低 20% 的耗材成本,在激烈的市場競爭中構(gòu)筑成本優(yōu)勢。晶圓切割MES系統(tǒng)中清航科定制,實時追蹤每片...
隨著芯片輕薄化趨勢,中清航科DBG(先切割后研磨)與SDBG(半切割后研磨)設(shè)備采用漸進式壓力控制技術(shù),切割階段只切入晶圓1/3厚度,經(jīng)背面研磨后自動分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%,已應(yīng)用于5G射頻模塊量產(chǎn)線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級過濾系統(tǒng)可去除99.99%的0.1μm顆粒,配合自主研發(fā)的抗靜電添加劑,減少硅屑附著造成的短路風(fēng)險。智能溫控模塊維持液體粘度穩(wěn)定,延長刀片壽命200小時以上呢。晶圓切割粉塵控制選中清航科靜電吸附系統(tǒng),潔凈度達標Class1。鹽城sic晶圓切割劃片廠晶圓切割的工藝參數(shù)設(shè)置需要豐富的經(jīng)驗積累,中清航科開發(fā)的智能工藝推薦系統(tǒng),基于...
為滿足半導(dǎo)體行業(yè)的快速交付需求,中清航科建立了高效的設(shè)備生產(chǎn)與交付體系。采用柔性化生產(chǎn)模式,標準型號切割設(shè)備可實現(xiàn) 7 天內(nèi)快速發(fā)貨,定制化設(shè)備交付周期控制在 30 天以內(nèi)。同時提供門到門安裝調(diào)試服務(wù),配備專業(yè)技術(shù)團隊全程跟進,確保設(shè)備快速投產(chǎn)。在晶圓切割的工藝參數(shù)優(yōu)化方面,中清航科引入實驗設(shè)計(DOE)方法。通過多因素正交試驗,系統(tǒng)分析激光功率、切割速度、焦點位置等參數(shù)對切割質(zhì)量的影響,建立參數(shù)優(yōu)化模型,可在 20 組實驗內(nèi)找到比較好工藝組合,較傳統(tǒng)試錯法減少 60% 的實驗次數(shù),加速新工藝開發(fā)進程。中清航科推出切割工藝保險服務(wù),承保因切割導(dǎo)致的晶圓損失。臺州晶圓切割晶圓切割過程中產(chǎn)生的應(yīng)力...
晶圓切割是半導(dǎo)體封裝的中心環(huán)節(jié),傳統(tǒng)刀片切割通過金剛石砂輪實現(xiàn)材料分離。中清航科研發(fā)的超薄刀片(厚度15-20μm)結(jié)合主動冷卻系統(tǒng),將切割道寬度壓縮至30μm以內(nèi),崩邊控制在5μm以下。我們的高剛性主軸技術(shù)可適配8/12英寸晶圓,切割速度提升40%,為LED、MEMS器件提供經(jīng)濟高效的解決方案。針對超薄晶圓(<50μm)易碎裂難題,中清航科激光隱形切割系統(tǒng)采用紅外脈沖激光在晶圓內(nèi)部形成改性層,通過擴張膜實現(xiàn)無應(yīng)力分離。該技術(shù)消除機械切割導(dǎo)致的微裂紋,良率提升至99.3%,尤其適用于存儲芯片、CIS等器件,助力客戶降低材料損耗成本。切割道寬度測量儀中清航科研發(fā),在線檢測精度達0.05μm。砷化...
中清航科在切割頭集成聲波傳感器,通過頻譜分析實時識別崩邊、裂紋等缺陷(靈敏度1μm)。異常事件觸發(fā)自動停機,避免批量損失,每年減少廢片成本$2.5M。為提升CIS有效感光面積,中清航科將切割道壓縮至8μm:激光隱形切割(SD)配合智能擴膜系統(tǒng),崩邊<3μm,使1/1.28英寸傳感器邊框縮減40%,暗電流降低至0.12nA/cm2。中清航科金剛石刀片再生技術(shù):通過等離子體刻蝕去除表層磨損層,重新鍍覆納米金剛石顆粒。再生刀片壽命達新品90%,成本降低65%,已服務(wù)全球1200家客戶。 切割路徑智能優(yōu)化系統(tǒng)中清航科研發(fā),復(fù)雜芯片布局切割時間縮短35%。上海碳化硅陶瓷晶圓切割代工廠中清航科創(chuàng)新...
中清航科創(chuàng)新性推出“激光預(yù)劃+機械精切”復(fù)合方案:先以激光在晶圓表面形成引導(dǎo)槽,再用超薄刀片完成切割。此工藝結(jié)合激光精度與刀切效率,解決化合物半導(dǎo)體(如GaAs、SiC)的脆性開裂問題,加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應(yīng)力集中等痛點。中清航科全自動切割機配備多軸聯(lián)動補償系統(tǒng),通過實時監(jiān)測晶圓形變動態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤,將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi),支持3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu)加工。切割道寬度測量儀中清航科研發(fā),在線檢測精度達0.05μm。舟山碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割企業(yè)中清航科的晶圓切割設(shè)備通過了多項國際認證,包括 CE、FCC、UL 等,符合全球...
在晶圓切割的批量一致性控制方面,中清航科采用統(tǒng)計過程控制(SPC)技術(shù)。設(shè)備實時采集每片晶圓的切割尺寸數(shù)據(jù),通過 SPC 軟件進行分析,繪制控制圖,及時發(fā)現(xiàn)過程中的異常波動,并自動調(diào)整相關(guān)參數(shù),使切割尺寸的標準差控制在 1μm 以內(nèi),確保批量產(chǎn)品的一致性。針對薄晶圓切割后的搬運難題,中清航科開發(fā)了無損搬運系統(tǒng)。采用特制的真空吸盤與輕柔的取放機構(gòu),配合視覺引導(dǎo),實現(xiàn)薄晶圓的平穩(wěn)搬運,避免搬運過程中的彎曲與破損。該系統(tǒng)可集成到切割設(shè)備中,也可作為單獨模塊與其他設(shè)備對接,提高薄晶圓的處理能力。中清航科真空吸附晶圓托盤,解決超薄晶圓切割變形難題。金華碳化硅陶瓷晶圓切割刀片高速切割產(chǎn)生的局部高溫易導(dǎo)致材...
在半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化替代的浪潮中,中清航科始終堅持自主創(chuàng)新,中心技術(shù) 100% 自主可控。其晶圓切割設(shè)備的關(guān)鍵部件如激光發(fā)生器、精密導(dǎo)軌、控制系統(tǒng)等均實現(xiàn)國產(chǎn)化量產(chǎn),不僅擺脫對進口部件的依賴,還將設(shè)備交付周期縮短至 8 周以內(nèi),較進口設(shè)備縮短 50%,為客戶搶占市場先機提供有力支持。展望未來,隨著 3nm 及更先進制程的突破,晶圓切割將面臨更小尺寸、更高精度的挑戰(zhàn)。中清航科已啟動下一代原子級精度切割技術(shù)的研發(fā),計劃通過量子點標記與納米操控技術(shù),實現(xiàn) 10nm 以下的切割精度,同時布局晶圓 - 封裝一體化工藝,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展提供前瞻性的技術(shù)解決方案,與全球客戶共同邁向更微觀的制造領(lǐng)域。中清...
面向磁傳感器制造,中清航科開發(fā)超導(dǎo)磁懸浮切割臺。晶圓在強磁場(0.5T)下懸浮,消除機械接觸應(yīng)力,切割后磁疇結(jié)構(gòu)畸變率<0.3%,靈敏度波動控制在±0.5%。中清航科電化學(xué)回收裝置從切割廢水中提取金/銅/錫等金屬,純度達99.95%。單條產(chǎn)線年回收貴金屬價值超$80萬,回收水符合SEMI F78標準,實現(xiàn)零廢液排放。針對HJT電池脆弱電極層,中清航科采用熱激光控制技術(shù)(LCT)。紅外激光精確加熱切割區(qū)至200℃,降低材料脆性,電池效率損失<0.1%,碎片率控制在0.2%以內(nèi)。 中清航科聯(lián)合高校成立切割技術(shù)研究院,突破納米級切割瓶頸。鹽城半導(dǎo)體晶圓切割寬度在晶圓切割的...