熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI ）技術不僅可實現電子設備的故障精細定位，更在性能評估、熱管理優(yōu)化及可靠性分析等領域展現獨特價值。通過高分辨率熱成像捕捉設備熱點分布圖譜，工程師能深度解析器件熱傳導特性，以此為依據優(yōu)化散熱結構設計，有效提升設備運行穩(wěn)定性與使用壽命。此外，該技術可實時監(jiān)測線路功耗分布與異常發(fā)熱區(qū)域，建立動態(tài)熱特征數據庫，為線路故障的早期預警與預防性維護提供數據支撐，從根本上去降低潛在失效風險。熱紅外顯微鏡采用先進的探測器，實現對微小熱量變化的快速響應 。非制冷熱紅外顯微鏡平臺

熱紅外顯微鏡是半導體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一（EMMI、THERMAL、OBIRCH），通過捕捉故障點產生的異常熱輻射，實現精細定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表現為局部功耗異常，導致微區(qū)溫度升高。顯微熱分布測試系統(tǒng)結合熱點鎖定技術，能夠高效識別這些區(qū)域。熱點鎖定是一種動態(tài)紅外熱成像方法，通過調節(jié)電壓提升分辨率與靈敏度，并借助算法優(yōu)化信噪比。在集成電路（IC）分析中，該技術廣泛應用于定位短路、ESD損傷、缺陷晶體管、二極管失效及閂鎖問題等關鍵故障。 半導體失效分析熱紅外顯微鏡貨源充足熱紅外顯微鏡結合自研算法，對微弱熱信號進行定位分析，鎖定潛在缺陷 。

熱點區(qū)域對應高溫部位，可能是發(fā)熱源或故障點；等溫線連接溫度相同點，能直觀呈現溫度梯度與熱量傳導規(guī)律。目前市面上多數設備受紅外波長及探測器性能限制，普遍存在熱點分散、噪點多的問題，導致發(fā)熱區(qū)域定位不準，圖像對比度和清晰度下降，影響溫度分布判斷的準確性。

而我方設備優(yōu)勢是設備抗干擾能力強，可有效減少外界環(huán)境及內部器件噪聲影響，保障圖像穩(wěn)定可靠；等溫線明顯，能清晰展現溫度相同區(qū)域，便于快速掌握溫度梯度與熱傳導情況，提升熱特性分析精度；成像效果大幅提升，具備更高的空間分辨率、溫度分辨率及對比度，可清晰呈現細微細節(jié)，為分析提供高質量的圖像支持。

當電子設備中的某個元件發(fā)生故障或異常時，常常伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡通過高靈敏度的紅外探測器，能夠捕捉到極其微弱的熱輻射信號。這些探測器通常采用量子級聯激光器等先進技術，或其他高性能紅外傳感方案，具備寬溫區(qū)、高分辨率的成像能力。通過對熱輻射信號的精細探測與分析，熱紅外顯微鏡能夠將電子設備表面的溫度分布以高對比度的熱圖像形式呈現，直觀展現熱點區(qū)域的位置、尺寸及溫度變化趨勢，從而幫助工程師快速鎖定潛在的故障點，實現高效可靠的故障排查。熱紅外顯微鏡可用于研究電子元件在不同環(huán)境下的熱行為 。

除了熱輻射，電子設備在出現故障或異常時，還可能伴隨微弱的光發(fā)射增強。熱紅外顯微鏡搭載高靈敏度的光學探測器，如光電倍增管（PMT）或電荷耦合器件（CCD），能夠有效捕捉這些低強度的光信號。這類光發(fā)射通常源自電子在半導體材料中發(fā)生的能級躍遷、載流子復合或其他物理過程。通過對光發(fā)射信號的成像和分析，熱紅外顯微鏡不僅能夠進一步驗證熱點區(qū)域的存在，還可輔助判斷異常的具體機制，為故障定位和性能評估提供更精確的信息。熱紅外顯微鏡能透過硅片或封裝材料，對半導體芯片內部熱缺陷進行非接觸式檢測。紅外光譜熱紅外顯微鏡圖像分析

熱紅外顯微鏡的動態(tài)功耗分析功能，同步記錄 100MHz 高頻信號下的熱響應曲線。非制冷熱紅外顯微鏡平臺

在失效分析的有損分析中，打開封裝是常見操作，通常有三種方法。全剝離法會將集成電路完全損壞，留下完整的芯片內部電路。但這種方法會破壞內部電路和引線，導致無法進行電動態(tài)分析，適用于需觀察內部電路靜態(tài)結構的場景。局部去除法通過特定手段去除部分封裝，優(yōu)點是開封過程不會損壞內部電路和引線，開封后仍可進行電動態(tài)分析，能為失效分析提供更豐富的動態(tài)數據。自動法則是利用硫酸噴射實現局部去除，自動化操作可提高效率和精度，不過同樣屬于破壞性處理，會對樣品造成一定程度的損傷。

非制冷熱紅外顯微鏡平臺

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