當(dāng)電子設(shè)備中的某個(gè)元件發(fā)生故障或異常時(shí)，常常伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡通過(guò)高靈敏度的紅外探測(cè)器，能夠捕捉到極其微弱的熱輻射信號(hào)。這些探測(cè)器通常采用量子級(jí)聯(lián)激光器等先進(jìn)技術(shù)，或其他高性能紅外傳感方案，具備寬溫區(qū)、高分辨率的成像能力。通過(guò)對(duì)熱輻射信號(hào)的精細(xì)探測(cè)與分析，熱紅外顯微鏡能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備表面的溫度分布以高對(duì)比度的熱圖像形式呈現(xiàn)，直觀展現(xiàn)熱點(diǎn)區(qū)域的位置、尺寸及溫度變化趨勢(shì)，從而幫助工程師快速鎖定潛在的故障點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)高效可靠的故障排查。電激勵(lì)配合鎖相熱成像系統(tǒng)，檢測(cè)精密電子元件缺陷。低溫?zé)徭i相紅外熱成像系統(tǒng)emmi

鎖相熱成像系統(tǒng)借助電激勵(lì)在電子產(chǎn)業(yè)的微型電子元件檢測(cè)中展現(xiàn)出極高的靈敏度，滿足了電子產(chǎn)業(yè)向微型化、高精度發(fā)展的需求。隨著電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，電子元件正朝著微型化方向快速發(fā)展，如微型傳感器、微型繼電器等，其尺寸通常在毫米甚至微米級(jí)別，缺陷也更加細(xì)微，傳統(tǒng)的檢測(cè)方法難以應(yīng)對(duì)。電激勵(lì)能夠在微型元件內(nèi)部產(chǎn)生微小但可探測(cè)的溫度變化，即使是納米級(jí)的缺陷也能引起局部溫度的細(xì)微波動(dòng)。鎖相熱成像系統(tǒng)結(jié)合先進(jìn)的鎖相技術(shù)，能夠從強(qiáng)大的背景噪聲中提取出與電激勵(lì)同頻的溫度信號(hào)，將微小的溫度變化放大并清晰顯示出來(lái)，從而檢測(cè)出微米級(jí)的缺陷。例如，在檢測(cè)微型加速度傳感器的敏感元件時(shí)，系統(tǒng)能夠發(fā)現(xiàn)因制造誤差導(dǎo)致的微小結(jié)構(gòu)變形，這些變形會(huì)影響傳感器的測(cè)量精度。這一技術(shù)的應(yīng)用，為微型電子元件的質(zhì)量檢測(cè)提供了有力支持，推動(dòng)了電子產(chǎn)業(yè)向微型化、高精度方向不斷發(fā)展。無(wú)損鎖相紅外熱成像系統(tǒng)方案利用鎖相放大器或相關(guān)算法，將熱像序列中每個(gè)像素的溫度信號(hào)與激勵(lì)參考信號(hào)進(jìn)行相關(guān)運(yùn)算得到振幅與相位。

電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)的柔性電子檢測(cè)中展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景，為柔性電子技術(shù)的發(fā)展提供了關(guān)鍵的質(zhì)量控制手段。柔性電子具有可彎曲、重量輕、便攜性好等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于柔性顯示屏、柔性傳感器、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域。然而，柔性電子材料通常較薄且易變形，傳統(tǒng)的機(jī)械檢測(cè)或接觸式檢測(cè)方法容易對(duì)其造成損傷。電激勵(lì)方式在柔性電子檢測(cè)中具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可采用低電流的周期性激勵(lì)，避免對(duì)柔性材料造成破壞。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠通過(guò)檢測(cè)柔性電子內(nèi)部線路的溫度變化，識(shí)別出線路斷裂、層間剝離、電極脫落等缺陷。例如，在柔性顯示屏的檢測(cè)中，系統(tǒng)可以對(duì)顯示屏施加低電流電激勵(lì)，通過(guò)分析溫度場(chǎng)分布，發(fā)現(xiàn)隱藏在柔性基底中的細(xì)微線路缺陷，確保顯示屏的顯示效果和使用壽命。這一技術(shù)的應(yīng)用，有效保障了柔性電子產(chǎn)品的質(zhì)量，推動(dòng)了電子產(chǎn)業(yè)中柔性電子技術(shù)的快速發(fā)展。

在半導(dǎo)體行業(yè)飛速發(fā)展的現(xiàn)在，芯片集成度不斷提升，器件結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，失效分析的難度也隨之大幅增加。傳統(tǒng)檢測(cè)設(shè)備往往難以兼顧微觀觀測(cè)與微弱信號(hào)捕捉，導(dǎo)致許多隱性缺陷成為 “漏網(wǎng)之魚(yú)”。蘇州致晟光電科技有限公司憑借自主研發(fā)實(shí)力，將熱紅外顯微鏡與鎖相紅外熱成像系統(tǒng)創(chuàng)造性地集成一體，推出 Thermal EMMI P 熱紅外顯微鏡系列檢測(cè)設(shè)備（搭載自主研發(fā)的 RTTLIT （實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外系統(tǒng)），為半導(dǎo)體的失效分析提供了全新的技術(shù)范式。

紅外熱成像模塊功能是實(shí)時(shí)采集被測(cè)物體表面的紅外輻射信號(hào)，轉(zhuǎn)化為隨時(shí)間變化的溫度分布圖像序列。

性能參數(shù)的突破更凸顯技術(shù)實(shí)力。RTTLIT P20 的測(cè)溫靈敏度達(dá) 0.1mK，意味著能捕捉到 0.0001℃的溫度波動(dòng)，相當(dāng)于能檢測(cè)到低至 1μW 的功率變化 —— 這一水平足以識(shí)別芯片內(nèi)部柵極漏電等隱性缺陷；2μm 的顯微分辨率則讓成像精度達(dá)到微米級(jí)，可清晰呈現(xiàn)芯片引線鍵合處的微小熱異常。而 RTTLIT P10 雖采用非制冷型探測(cè)器，卻通過(guò)算法優(yōu)化將鎖相靈敏度提升至 0.001℃，在 PCB 板短路、IGBT 模塊局部過(guò)熱等檢測(cè)場(chǎng)景中，既能滿足精度需求，又具備更高的性價(jià)比。此外，設(shè)備的一體化設(shè)計(jì)將可見(jiàn)光、熱紅外、微光三大成像模塊集成，配合自動(dòng)化工作臺(tái)的精細(xì)控制，實(shí)現(xiàn)了 “一鍵切換檢測(cè)模式”“雙面觀測(cè)無(wú)死角” 等便捷操作，大幅降低了操作復(fù)雜度。電激勵(lì)強(qiáng)度可控，保障鎖相熱成像系統(tǒng)檢測(cè)安全。長(zhǎng)波鎖相紅外熱成像系統(tǒng)設(shè)備

鎖相熱成像系統(tǒng)的同步控制模塊需與電激勵(lì)源保持高度協(xié)同，極小的同步誤差都可能導(dǎo)致檢測(cè)圖像出現(xiàn)相位偏移。低溫?zé)徭i相紅外熱成像系統(tǒng)emmi

在電子產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體材料檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)用途，為半導(dǎo)體材料的質(zhì)量提升提供了重要保障。半導(dǎo)體材料的質(zhì)量直接影響半導(dǎo)體器件的性能，材料中存在的摻雜不均、位錯(cuò)、微裂紋等缺陷，會(huì)導(dǎo)致器件的電學(xué)性能和熱學(xué)性能下降。通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體材料施加電激勵(lì)，使材料內(nèi)部產(chǎn)生電流，缺陷處由于導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能的異常，會(huì)產(chǎn)生局部的溫度差異。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠敏銳地檢測(cè)到這些溫度差異，并通過(guò)分析溫度場(chǎng)的分布特征，評(píng)估材料的質(zhì)量狀況。例如，在檢測(cè)硅晶圓時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)晶圓表面的摻雜不均區(qū)域，這些區(qū)域會(huì)影響后續(xù)芯片制造的光刻和刻蝕工藝；在檢測(cè)碳化硅材料時(shí)，能夠識(shí)別出材料內(nèi)部的微裂紋，這些裂紋會(huì)導(dǎo)致器件在高壓工作時(shí)發(fā)生擊穿。檢測(cè)結(jié)果為半導(dǎo)體材料生產(chǎn)企業(yè)提供了詳細(xì)的質(zhì)量反饋，幫助企業(yè)優(yōu)化材料生長(zhǎng)工藝，提升電子產(chǎn)業(yè)上游材料的品質(zhì)。低溫?zé)徭i相紅外熱成像系統(tǒng)emmi