振蕩電路不匹配 導(dǎo)致晶振不起振影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo)：頻率誤差、負(fù)性阻抗、激勵(lì)電平。頻率誤差太大，導(dǎo)致實(shí)際頻率偏移標(biāo)稱頻率從而引起晶振不起振。解決辦法：選擇合適的PPM值的產(chǎn)品。負(fù)性阻抗過大太小都會(huì)導(dǎo)致晶振不起振。解決辦法：負(fù)性阻抗過大，可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)大來降低負(fù)性阻抗；負(fù)性阻抗太小，則可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)小來增大負(fù)性阻抗。一般而言，負(fù)性阻抗值應(yīng)滿足不少于晶振標(biāo)稱阻抗3-5倍。激勵(lì)電平過大或者過小也將會(huì)導(dǎo)致晶振不起振。解決辦法：通過調(diào)整電路中的Rd的大小來調(diào)節(jié)振蕩電路對(duì)晶振輸出的激勵(lì)電平。一般而言，激勵(lì)電平越小越好，處理功耗低之外，還跟振蕩電路的穩(wěn)定性和晶振的使用壽命有關(guān)。不同的參數(shù)對(duì)晶振的影響是什么？北京4腳晶振答疑解惑

首先,智能移動(dòng)終端市場(chǎng)已經(jīng)進(jìn)入了存量競(jìng)爭(zhēng)的時(shí)代,在終端產(chǎn)品方面的同質(zhì)化日趨明顯,因此存量創(chuàng)新在新功能上存在投資價(jià)值,我們看好好由iPhoneX帶來的人臉識(shí)別和無線充電產(chǎn)業(yè)鏈;其次,新的消費(fèi)電子產(chǎn)品形態(tài)日趨豐富,各大終端廠商也紛紛進(jìn)入,在新品滲透過程中相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈也具備投資價(jià)值,我們看好智能音箱和VR/AR產(chǎn)業(yè)鏈;,市場(chǎng)由于不確定性而對(duì)于外觀件市場(chǎng)采取了較為悲觀的司避策略使得相關(guān)板塊的估值出現(xiàn)了下降,從供求關(guān)系的分析看,我們認(rèn)為金屬結(jié)構(gòu)件和陶瓷外觀件存在投資價(jià)值。深圳愛普生晶振服務(wù)至上有源晶振和無源晶振的區(qū)別在哪里？

目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)石英晶體元器件的年需求量約13～16億只，年增長(zhǎng)率近20%，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的石英晶體元器件的出口量約占總量的70～80%.我國(guó)石英體元器件需求量近年來增幅較大，但價(jià)格下滑較快，普通低檔晶體元件價(jià)格已經(jīng)降到接近產(chǎn)品成本的水平。晶體元器件的價(jià)格取決于類型和性能指標(biāo)，其價(jià)格從高到低的大體排序?yàn)椋菏⒕w元器件、SMD、UM系列、49/US、49/U。目前我國(guó)市場(chǎng)供應(yīng)較多的SMD石英晶體元器件是市場(chǎng)大量需求的產(chǎn)品，也是今后我國(guó)石英晶體元器件的主要發(fā)展方向。

若在石英晶體的兩個(gè)電極上加一電場(chǎng)，晶片就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械變形。反之，若在晶片的兩側(cè)施加機(jī)械壓力，則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場(chǎng)，這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。如果在晶片的兩極上加交變電壓，晶片就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，同時(shí)晶片的機(jī)械振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)。在一般情況下，晶片機(jī)械振動(dòng)的振幅和交變電場(chǎng)的振幅非常微小，但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時(shí)，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān) 。一般溫度范圍越寬、穩(wěn)定性要求越小的晶體振蕩器價(jià)格越高。

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晶振不起振了是什么原因？北京4腳晶振答疑解惑

溫補(bǔ)晶振即溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO）第一種補(bǔ)償方式是直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時(shí)，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補(bǔ)償方式電路簡(jiǎn)單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場(chǎng)合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1ppm時(shí)，直接補(bǔ)償方式并不適宜。第二種補(bǔ)償方式間接補(bǔ)償型該補(bǔ)償方式又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對(duì)晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補(bǔ)償是在模擬式補(bǔ)償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級(jí)模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)北京4腳晶振答疑解惑

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