常用的有聚乙烯醇和聚乙烯醇縮丁醛。增塑劑有乙二醇、甘油，鄰苯二甲酸二丁醇等。溶劑有水和乙醇等。潤濕劑和消泡劑有鯡魚油、鯨油、蓖麻油等。流延法可制得厚度為0.05mm以下的薄膜(常用激光測厚儀隨機檢測)，設(shè)備不太復(fù)雜且工藝穩(wěn)定，表面光潔度高，便于生產(chǎn)連續(xù)化與自動化，生產(chǎn)效率高?？捎糜谏a(chǎn)微型電子陶瓷元件，現(xiàn)已在陶瓷電容器和基板等方面獲得廣泛應(yīng)用。它為電子元件的微型化，超大規(guī)模集成電路的應(yīng)用，提供了廣闊的前景。燒結(jié)方法特種陶瓷制品因其特殊的性能要求，需要用不同于傳統(tǒng)陶瓷制品的燒成工藝與燒結(jié)技術(shù)。隨著特種陶瓷工業(yè)的發(fā)展，其燒成機理、燒結(jié)技術(shù)及特殊的窯爐設(shè)施的研究取得突破性的進展。江蘇中超金屬科技，以特種陶瓷為基石，鑄就行業(yè)輝煌篇章。長寧區(qū)什么是特種陶瓷

熱敏陶瓷材料熱敏陶瓷材料主要包括負溫度系數(shù)（NTC），正溫度系數(shù)（PTC）及具有臨界溫度的負溫度系數(shù)（CTR）三大類材料。前兩類熱敏電阻應(yīng)用**廣，相對來說NTC熱敏電阻已有相當大的生產(chǎn)規(guī)模，技術(shù)也較完善，PTC熱敏陶瓷用途極為***，產(chǎn)品品種繁多，性能方面與國際水平的主要差距表現(xiàn)為高性能、穩(wěn)定性、一致性等諸方面.這些差距正在縮小，為克服高溫PTC材料含鉛污染環(huán)境的缺點，NiO-ZnO-TiO2系新材料已經(jīng)聞世，加熱溫度已達290℃，可望在溫度傳感，加熱及控制等方面獲得應(yīng)用。看來，尋求無鉛新材料，進一步提高高溫PTC熱敏陶瓷性能，是一項有意義的工作。高淳區(qū)特種陶瓷量大從優(yōu)走進江蘇中超金屬科技，感受特種陶瓷帶來的革新與突破。

通過多孔胚體同氣相或液相發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使胚體質(zhì)量增加，空隙減小，并燒結(jié)成一定強度和尺寸精確的成品的一種燒結(jié)工藝。此法有如下兩個：(1)提高制品質(zhì)量，燒成的制品不收縮，尺寸不變化；(2)反應(yīng)速度快，傳質(zhì)和傳熱過程貫徹在燒結(jié)全過程。普通燒結(jié)法物質(zhì)遷移過程發(fā)生在坯體顆粒與顆粒的局部，反應(yīng)燒結(jié)法物質(zhì)遷移過程發(fā)生在長距離范圍內(nèi)。分為液相反應(yīng)燒結(jié)和氣相反應(yīng)燒結(jié)兩類。采用前一類的居多。燒結(jié)氧氮化硅坯件時添加硅、二氧化硅和氟化鈣(或氧化鈣、氧化鎂等，玻璃相形成劑)同氮反應(yīng)生成二氮氧化二硅(Si2ON2)，氧化鈣、氧化鎂等同二氧化硅形成玻璃相，氮溶解在焙融體(玻璃相)中；Si2ON2，晶體從被氮飽和的玻璃相中析出。這樣制出的氧氮化硅的密度可相當于理論密度90%以上。

壓電陶瓷材料壓電陶瓷是實現(xiàn)機械能與電能相互轉(zhuǎn)換重要的功能材料，廣泛應(yīng)用于音響設(shè)備、傳感器、報警器、超聲清洗、醫(yī)療診斷及通訊等許多領(lǐng)域。一般壓電陶瓷材料為鋯鈦酸鉛（PZT）系，有的瓷料中氧化鉛含量高達60~70%左右，由于生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的粉塵及燒結(jié)過程中的鉛揮發(fā)，這不僅給工藝和產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定帶來諸多問題，而且給生態(tài)環(huán)境和人類的健康帶來危害，研究新型無鉛壓電陶瓷以減少對環(huán)境的污染己成為一項十分緊迫的任務(wù)。 1961年前蘇聯(lián)學(xué)者Smolensky等人發(fā)現(xiàn)鈦酸鉍鈉（Bi1/2Na1/2）TiO3，簡稱BNT為鈣鈦礦型（ABO3）鐵電體。其居里點為320℃。極化困難限制其實際應(yīng)用，直到80年代末，90年代初日本學(xué)者Takenaka等人用Ba++ 對Bi1/2Na1/2 進行A位置換，出現(xiàn)了BNT－BaTiO3系，即BNBT系壓電陶瓷，解決了BNT難以極化問題；獲得頻率常數(shù)高，介電常數(shù)較小，具有很大各向異性的新體系。走進江蘇中超金屬科技，領(lǐng)略特種陶瓷的獨特風(fēng)采與實力。

目前國內(nèi)外主要采用Al2O3陶瓷作為集成電路基板材料，然而隨著電子元器件向高性能、高密度、大功率、小型化、低成本方向發(fā)展，迫切希望采用高導(dǎo)熱系數(shù)陶瓷基板，理論上**適宜的候選材料有金剛石（C）、立方氮化硼（BN）、氧化鈹（BeO）、碳化硅（SiC）和氮化鋁（AlN）等。由于AlN導(dǎo)熱系數(shù)高達250W·m-1·K-1，雖比SiC及BeO略低，但比Al2O3略高8~10倍，其體積電阻率，擊穿強度，介電損耗等電氣性能可與Al2O3瓷媲美，且介電常數(shù)較低，機械強度也較高，熱膨脹系數(shù)為4.4ppm/℃，接近于Si可進行多層布線。在江蘇中超金屬科技，特種陶瓷的每一次突破都是對行業(yè)的致敬。長寧區(qū)什么是特種陶瓷

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電容器陶瓷介質(zhì)材料近年來主要發(fā)展趨勢是尋求大容量、小尺寸、高可靠、低價格的陶瓷電容器。與傳統(tǒng)BaTiO3基介質(zhì)材料相比，為提高介電常數(shù)和改善性能，出現(xiàn)了復(fù)合鈣鈦礦型材料。值得指出的是利用半導(dǎo)體p-n結(jié)的原理發(fā)展起來的晶界層電容器（GBLC）的出現(xiàn)，其視在介電常數(shù)較常規(guī)瓷介電容器的介電常數(shù)提高數(shù)倍至數(shù)十倍。以SrTiO3為基的晶界層電容器具有高介電常數(shù)，低介電損耗，低溫度系數(shù)以及色散頻率較高等優(yōu)點，是**有發(fā)展前途的瓷料之一。目前，國內(nèi)少數(shù)廠家已進入批量生產(chǎn)，然而在高性能、高合格率方面尚存在一定差距。可以相信，晶界層多層電容器（GBMLC）瓷料的出現(xiàn)將使電容器向小型化方向發(fā)展取得重大突破。長寧區(qū)什么是特種陶瓷

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