導通時隔離變壓器上的電壓為(1-D)Ui、關斷時為DUi,若主功率管S可靠導通電壓為12V,而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/[(1-D)Ui]。為保證導通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。該電路具有以下優(yōu)點:①電路結構簡單可靠,具有電氣隔離作用。當脈寬變化時,驅動的關斷能力不會隨著變化。②該電路只需一個電源,即為單電源工作。隔直電容C的作用可以在關斷所驅動的管子時提供一個負壓,從而加速了功率管的關斷,且有較高的抗干擾能力。但該電路存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化。當D較小時,負向電壓小,該電路的抗干擾性變差,且正向電壓較高,應該注意使其幅值不超過MOSFET柵極的允許電壓。當D大于0.5時驅動電壓正向電壓小于其負向電壓,此時應該注意使其負電壓值不超過MOAFET柵極允許電壓。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場合。場效應管利用輸入電場控制輸出電流,因此具有高輸入電阻和低輸出阻礙的特點。南京半導體場效應管廠家精選
雙柵極場效應管擁有兩個獨特的柵極,這一創(chuàng)新設計極大地拓展了其功能邊界,使其如同擁有兩個控制開關的精密儀器。兩個柵極可分別承擔不同的控制任務,例如一個柵極專注于信號輸入,如同信息的入口;另一個柵極負責增益控制,能夠根據(jù)信號強度靈活調整放大倍數(shù)。在電視調諧器中,復雜的電磁環(huán)境中存在著眾多干擾信號,雙柵極場效應管通過一個柵極精細選擇特定頻道的信號,同時利用另一個柵極有效抑制干擾信號,并根據(jù)接收到的信號強度實時、靈活地調整增益。這樣一來,電視畫面始終保持清晰、穩(wěn)定,無論是觀看高清的體育賽事直播,還是欣賞精彩的電影大片,都能為用戶帶來優(yōu)良的視聽體驗。在廣播電視、衛(wèi)星通信等領域,它同樣發(fā)揮著重要作用,保障信號的穩(wěn)定傳輸與接收。徐州耗盡型場效應管定制場效應管的開關速度快,適用于需要快速響應的電路系統(tǒng)中。
作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢?本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇。為設計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中,當一個MOSFET接地,而負載連接到干線電 壓上時,該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,應采用N溝道MOSFET,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到 總線及負載接地時,就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET,這也是出于對電壓驅動的考慮。
場效應管主要參數(shù):場效應管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但普通運用時主要關注以下一些重點參數(shù):飽和漏源電流IDSS,夾斷電壓Up,(結型管和耗盡型絕緣柵管,或開啟電壓UT(加強型絕緣柵管)、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。一、飽和漏源電流,飽和漏源電流IDSS:是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流。二、夾斷電壓,夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。場效應管具有高頻響應特性,適用于高頻、高速電路,如雷達、衛(wèi)星通信等。
場效應管注意事項:(1)結型場效應管的柵源電壓不能接反,可以在開路狀態(tài)下保存,而絕緣柵型場效應管在不使用時,由于它的輸入電阻非常高,須將各電極短路,以免外電場作用而使管子損壞。(2)焊接時,電烙鐵外殼必須裝有外接地線,以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接,也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場效應管時,要按源極-漏極-柵極的先后順序焊接,并且要斷電焊接。(3)用25W電烙鐵焊接時應迅速,若用45~75W電烙鐵焊接,應用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結型場效應管可用表電阻檔定性地檢查管子的質量(檢查各PN結的正反向電阻及漏源之間的電阻值),而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查,必須用測試儀,而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線。取下時,則應先短路再取下,關鍵在于避免柵極懸空。場效應管有三種類型,分別是MOSFET、JFET和IGBT,它們各自具有不同的特性和應用領域。南京半導體場效應管廠家精選
場效應管在無線電領域具有普遍應用,如射頻放大器、混頻器、振蕩器等,提高通信質量。南京半導體場效應管廠家精選
雪崩失效的預防措施,雪崩失效歸根結底是電壓失效,因此預防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。1:合理降額使用,目前行業(yè)內的降額一般選取80%-95%的降額,具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關注點進行選取。2:合理的變壓器反射電壓。合理的RCD及TVS吸收電路設計。4:大電流布線盡量采用粗、短的布局結構,盡量減少布線寄生電感。5:選擇合理的柵極電阻Rg。6:在大功率電源中,可以根據(jù)需要適當?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進行吸收。南京半導體場效應管廠家精選