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SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET），是一種半新型的功率半導(dǎo)體器件。它基于傳統(tǒng)溝槽MOSFET技術(shù)，并通過(guò)結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)來(lái)提升性能，特別是在降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗方面表現(xiàn)出色。接下來(lái)，我們將詳細(xì)介紹SGT MOSFET的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 SGT MOS的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)創(chuàng)新是將傳統(tǒng)MOSFET的單柵極拆分為兩個(gè)柵極： 控制柵（Control Gate）：位于溝槽頂部，直接控制溝道的開(kāi)啟與關(guān)閉，與傳統(tǒng)MOSFET柵極功能類似。 屏蔽柵（Shield Gate）：位于溝槽側(cè)壁或底部，通常與源極連接（而非漏極），...

功率器件的分類定義 一、主要分類?按器件的結(jié)構(gòu)劃分??二極管?：如整流二極管、快恢復(fù)二極管，用于單向?qū)щ娕c電壓鉗位；? 晶體管?：含雙極結(jié)型晶體管（BJT）、MOSFET、IGBT等，兼具開(kāi)關(guān)與控制功能；? 晶閘管?：包含可控硅（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC），適用于大功率交流控制。? 按功率等級(jí)劃分??低壓小功率?：如消費(fèi)電子中的驅(qū)動(dòng)器件；?中高功率?：工業(yè)變頻器、電機(jī)控制器；?高壓大功率?：新能源發(fā)電、特高壓輸電系統(tǒng)。 TO-247 大功率表面貼裝封裝，3/4引腳設(shè)計(jì)，適配高功率MOSFET/IGBT（如電動(dòng)汽車OBC）。選型功率器件MOS產(chǎn)品選型怎么樣功率...

無(wú)錫商家半導(dǎo)體 TO-3P/247TO247是一種常見(jiàn)的小外形封裝，屬于表面貼封裝類型，其中的“247”是封裝標(biāo)準(zhǔn)的編號(hào)。值得注意的是，TO-247封裝與TO-3P封裝都采用3引腳輸出，且內(nèi)部的裸芯片（即電路圖）可以完全相同，因此它們的功能和性能也基本一致，只是在散熱和穩(wěn)定性方面可能略有差異。 TO247通常是非絕緣封裝，這種封裝的管子常用于大功率的POWFR中。作為開(kāi)關(guān)管使用時(shí)，它能夠承受較大的耐壓和電流，因此是中高壓大電流MOS管常用的封裝形式。該產(chǎn)品特點(diǎn)包括耐壓高、抗擊穿能力強(qiáng)等，特別適用于中壓大電流場(chǎng)合（電流10A以上，耐壓值在100V以下），以及120A以上、耐壓值2...

從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為**的電力電子器件，主要用于相控電路。這些電路十分***地用在電解、電鍍、直流電機(jī)傳動(dòng)、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁等整流裝置中，與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比，不僅體積小、工作可靠，而且取得了十分明顯的節(jié)能效果（一般可節(jié)電10～40%，從中國(guó)的實(shí)際看，因風(fēng)機(jī)和泵類負(fù)載約占全國(guó)用電量的1/3，若采用交流電動(dòng)機(jī)調(diào)速傳動(dòng), 可平均節(jié)電20%以上，每年可節(jié)電400億千瓦時(shí)）,因此電力電子技術(shù)的發(fā)展也越來(lái)越受到人們的重視。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關(guān)斷晶閘管和功率晶體管,開(kāi)關(guān)速度快,控制簡(jiǎn)單，逆導(dǎo)可關(guān)斷晶閘管更兼容了可關(guān)斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術(shù)的應(yīng)用推進(jìn)...

功率MOSFET屬于電壓型控制器件。它依靠多數(shù)載流子工作,因而具有許多優(yōu)點(diǎn):能與集成電路直接相連；開(kāi)關(guān)頻率可在數(shù)兆赫以上（可達(dá)100MHz），比雙極型功率晶體管(GTR)至少高10倍；導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù),器件不易發(fā)生二次擊穿,易于并聯(lián)工作。與GTR相比，功率MOSFET的導(dǎo)通電阻較大，電流密度不易提高，在100kHz以下頻率工作時(shí),其功率損耗高于GTR。此外，由于導(dǎo)電溝道很窄（微米級(jí)）,單元尺寸精細(xì)，其制作也較GTR困難。在80年代中期,功率MOSFET的容量還不大（有100A/60V，75A/100V，5A/1000V等幾種）。電力電子器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換...

按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度分類： 1.半控型器件，例如晶閘管； 2.全控型器件，例如GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）； 3.不可控器件，例如電力二極管。 按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)分類： 1.電壓驅(qū)動(dòng)型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）； 2.電流驅(qū)動(dòng)型器件，例如晶閘管、GTO、GTR。 根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號(hào)波形分類： 1.脈沖觸...

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）?是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，主要用于功率放大和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它屬于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的一種，具有驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高等特點(diǎn)。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。 隨著電子技術(shù)在工業(yè)、交通、消費(fèi)、醫(yī)療等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，當(dāng)代社會(huì)對(duì)電力電子設(shè)備的要求也越來(lái)越高，功率半導(dǎo)體就是影響這些電力電子設(shè)備成本和效率的直接因素之一。自從二十世紀(jì)五十年代真空管被固態(tài)器件代替以來(lái)，以硅(Si)材料為主的功率半導(dǎo)體器件就一直扮演著重要的角色，功率MOSFET是...

功率MOSFET的基本特性 動(dòng)態(tài)特性MOSFET其測(cè)試電路和開(kāi)關(guān)過(guò)程。開(kāi)通過(guò)程；開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)—Up前沿時(shí)刻到UGS=UT并開(kāi)始出現(xiàn)iD的時(shí)刻間的時(shí)間段；上升時(shí)間tr—UGS從UT上升到MOSFET進(jìn)入非飽和區(qū)的柵壓UGSP的時(shí)間段；iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負(fù)載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關(guān)，UGS達(dá)到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達(dá)到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變。開(kāi)通時(shí)間ton—開(kāi)通延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和。 關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)—Up下降到零起，Cin通過(guò)RS和RG放電，UGS按指數(shù)曲線下降到UGSP時(shí)，iD開(kāi)始減小為零的時(shí)間段。下降時(shí)間tf...

功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的筆記本、PC、服務(wù)器、顯示器以及各種外設(shè);網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域的手機(jī)、電話以及其它各種終端和局端設(shè)備;消費(fèi)電子領(lǐng)域的傳統(tǒng)黑白家電和各種數(shù)碼產(chǎn)品;工業(yè)控制類中的工業(yè)PC、各類儀器儀表和各類控制設(shè)備等。 電力電子器件工作時(shí)，會(huì)因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫。器件溫度過(guò)高將縮短壽命，甚至燒毀，這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此，必須考慮器件的冷卻問(wèn)題。常用冷卻方式有自冷式、風(fēng)冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。 TO-247 大功率表面貼裝封裝，3/4引腳設(shè)計(jì)，適配高功率MOSFET/IGBT（如電動(dòng)汽車OBC）。新型功...

超結(jié)MOS也是為了解決額定電壓提高而導(dǎo)通電阻增加的問(wèn)題，超結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFET在D端和S端排列多個(gè)垂直pn結(jié)的結(jié)構(gòu)，其結(jié)果是在保持高電壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻。超級(jí)結(jié)的存在突破了硅的理論極限，而且額定電壓越高，導(dǎo)通電阻的下降越明顯。以下圖為例，超結(jié)在S端和D端增加了長(zhǎng)長(zhǎng)的柱子，形成垂直的PN結(jié)，交替排列。N層和P層在漂移層中設(shè)置垂直溝槽，當(dāng)施加電壓時(shí)耗盡層水平擴(kuò)展，很快合并形成與溝槽深度相等的耗盡層。耗盡層擴(kuò)展至溝槽間距的一半，因此形成厚度等于溝槽深度的耗盡層。耗盡層的膨脹小且良好，允許漂移層雜質(zhì)濃度增加約5倍，從而可以降低RDS(ON)。功率MOSFET具有較高的可靠性。廣西電動(dòng)汽車功率器件M...

超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì) 1、導(dǎo)通電阻大幅降低超結(jié)結(jié)構(gòu)***降低了高電壓應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻，減少了功率損耗，提高了能效。 2、耐壓性能優(yōu)異通過(guò)優(yōu)化電場(chǎng)分布，超結(jié)MOS在提高耐壓的同時(shí)避免了導(dǎo)通電阻的急劇增加，使其在高電壓應(yīng)用中更具優(yōu)勢(shì)。 3、高頻開(kāi)關(guān)性能優(yōu)越得益于超結(jié)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，超結(jié)MOS具備出色的開(kāi)關(guān)速度，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源和逆變器等應(yīng)用。 4、工藝成熟，生產(chǎn)成本逐步降低隨著工藝的不斷成熟和批量生產(chǎn)能力的提升，超結(jié)MOS的生產(chǎn)成本逐步降低，推動(dòng)了其在更多領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。超結(jié)MOS的工藝雖然復(fù)雜，但其***的性能提升使其在電力電子領(lǐng)域成為不可或缺的器件，特別是在需要高效...

單個(gè)電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過(guò)的電流大小也是一定的。因此，由單個(gè)電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以，在實(shí)用中多用幾個(gè)電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時(shí)，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓；并聯(lián)時(shí)則希望各元件能分擔(dān)同樣的電流。但由于器件的個(gè)異性，串、并聯(lián)時(shí)，各器件并不能完全均勻地分擔(dān)電壓和電流。所以，在電力電子器件串聯(lián)時(shí)，要采取均壓措施；在并聯(lián)時(shí)，要采取均流措施。DFN（Dual Flat Non-leaded） 無(wú)引腳扁平封裝，引腳從底部引出，寄生電感低于QFN（如筆記本電腦電源）...

功率器件常見(jiàn)類型： 功率二極管：**簡(jiǎn)單的功率器件，單向?qū)ǎㄍǔ３惺芨叻磯海? 功率 MOSFET：通過(guò)電壓控制的高速開(kāi)關(guān)管，在中低壓、中高頻應(yīng)用中效率高。 絕緣柵雙極晶體管：結(jié)合了MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性和BJT的大電流承載能力，是目前中高功率應(yīng)用（如變頻器、電動(dòng)汽車、工業(yè)電源）的主力器件。 晶閘管：主要是可控硅整流器和門極可關(guān)斷晶閘管。前者常用于可控整流、交流調(diào)壓，后者在大功率領(lǐng)域仍有應(yīng)用。 寬禁帶半導(dǎo)體器件：如 SiC 功率器件（碳化硅） 和 GaN功率器件（氮化鎵）。這些是新一代高性能功率器件，具有更高的開(kāi)關(guān)頻率、更高的工作溫度、更低的損耗和更小的...

即是在大功率范圍應(yīng)用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它也稱作功率MOSFET，其優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1. 具有較高的開(kāi)關(guān)速度。2. 具有較寬的安全工作區(qū)而不會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)，并且具有正的電阻溫度系數(shù)，因此適合進(jìn)行并聯(lián)使用。3. 具有較高的可靠性。4. 具有較強(qiáng)的過(guò)載能力。短時(shí)過(guò)載能力通常額定值的4倍。5. 具有較高的開(kāi)啟電壓，即是閾值電壓，可達(dá)2~6V（一般在1.5V~5V之間）。當(dāng)環(huán)境噪聲較高時(shí)，可以選 用閾值電壓較高的管子，以提高抗干擾能力；反之，當(dāng)噪聲較低時(shí)，選用閾值電壓較低的管子，以降低所需的輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)電壓。給電路設(shè)計(jì)帶來(lái)了極大地方便。6. 由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此其驅(qū)動(dòng)功率很小...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體提供專業(yè)選型服務(wù) 封裝選擇關(guān)鍵因素 功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。 中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。 **功率（信號(hào)級(jí)）：SOT-23、SC-70。 散熱條件 需要強(qiáng)制散熱或大面積PCB銅箔散熱時(shí)，優(yōu)先選帶散熱片的封裝（如TO-247、D2PAK）。 自然散熱場(chǎng)景可選SO-8或QFN（需優(yōu)化PCB散熱設(shè)計(jì)）。 空間限制 緊湊型設(shè)備（如手機(jī)、穿戴設(shè)備）：QFN、SOT-23。 工業(yè)設(shè)備或電源模塊：TO系列或D2PAK。 高頻性能 高頻應(yīng)用（>1MH...

電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。80年代晶閘管的電流容量已達(dá)6000安，阻斷電壓高達(dá)6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率，取決于器件關(guān)斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流的復(fù)合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關(guān)斷電流的過(guò)程，卻導(dǎo)致器件導(dǎo)通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉(zhuǎn)換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。80年代這類器件的比較高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作，其控制電流容量已達(dá)數(shù)百安，阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅(qū)動(dòng)電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象，限制抗浪涌能力。進(jìn)一步提高其...

超結(jié)MOSFET的應(yīng)用超結(jié)MOSFET在多個(gè)領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用，尤其是在以下幾個(gè)方面： 1、開(kāi)關(guān)電源超結(jié)MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓使其非常適合用于開(kāi)關(guān)電源中，能夠提高轉(zhuǎn)換效率，減少能量損失。 2、電動(dòng)汽車（EV）超結(jié)MOSFET被廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)中。它們的高效能和優(yōu)異的熱性能能夠提升整車的性能和可靠性。 3、光伏逆變器光伏逆變器需要處理高電壓和大電流，超結(jié)MOSFET的性能優(yōu)勢(shì)使其成為這些系統(tǒng)中的理想選擇，能夠提高能量轉(zhuǎn)換效率，減少熱量損耗。 4、工業(yè)自動(dòng)化在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，超結(jié)MOSFET被用于各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理應(yīng)用中。它們的高效能...

超結(jié)MOS的特點(diǎn): 1、低導(dǎo)通電阻通過(guò)在縱向結(jié)構(gòu)中引入多個(gè)P型和N型層的超結(jié)設(shè)計(jì)，極大地降低了功率器件的導(dǎo)通電阻，在高電壓應(yīng)用中尤為明顯。 2、高耐壓性傳統(tǒng)MOSFET在提高耐壓的同時(shí)會(huì)增加導(dǎo)通電阻，而超結(jié)結(jié)構(gòu)通過(guò)優(yōu)化電場(chǎng)分布，使其在保持高耐壓的同時(shí)仍能保持較低的導(dǎo)通電阻。 3、高效率超結(jié)MOS具有較快的開(kāi)關(guān)速度和低損耗特性，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 4、較低的功耗由于導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗的降低，超結(jié)MOS在工作時(shí)的能量損耗也明顯減少，有助于提高系統(tǒng)的整體能效。 由于MOSFET是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此其驅(qū)動(dòng)功率很小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路要求較低.臺(tái)...

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級(jí)。集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件，推動(dòng)電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來(lái)的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn)，在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導(dǎo)性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點(diǎn)，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時(shí)必須在門極周...

功率器件的分類定義 一、主要分類?按器件的結(jié)構(gòu)劃分??二極管?：如整流二極管、快恢復(fù)二極管，用于單向?qū)щ娕c電壓鉗位；? 晶體管?：含雙極結(jié)型晶體管（BJT）、MOSFET、IGBT等，兼具開(kāi)關(guān)與控制功能；? 晶閘管?：包含可控硅（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC），適用于大功率交流控制。? 按功率等級(jí)劃分??低壓小功率?：如消費(fèi)電子中的驅(qū)動(dòng)器件；?中高功率?：工業(yè)變頻器、電機(jī)控制器；?高壓大功率?：新能源發(fā)電、特高壓輸電系統(tǒng)。 微型化設(shè)備則依賴超小封裝的SOT-23或QFN。實(shí)際設(shè)計(jì)中還需結(jié)合PCB布局、生產(chǎn)工藝和供應(yīng)鏈情況綜合決策。好的功率器件MOS產(chǎn)品選型銷售價(jià)...

功率器件主要應(yīng)用領(lǐng)域： 電源：開(kāi)關(guān)電源、不間斷電源、充電器（手機(jī)、電動(dòng)車快充）、逆變器。 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：工業(yè)變頻器、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器、家用電器（如空調(diào)壓縮機(jī)、洗衣機(jī)電機(jī)控制）。 電力轉(zhuǎn)換與控制：太陽(yáng)能/風(fēng)能發(fā)電并網(wǎng)逆變器、高壓直流輸電、工業(yè)電源。 照明：LED驅(qū)動(dòng)電源。 消費(fèi)電子：大功率音響功放、大型顯示設(shè)備背光電。 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，功率器件就是“電力世界的大力士開(kāi)關(guān)”，負(fù)責(zé)在高壓大電流環(huán)境下高效地控制、切換和傳輸電能。 它的性能和效率對(duì)能源利用、電子設(shè)備性能有著至關(guān)重要的影響。 作功率MOSFET，其優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在 具有較高的開(kāi)關(guān)速度。應(yīng)用場(chǎng)景功率器件MOS產(chǎn)...

功率器件是專門用來(lái)處理和控制高電壓、大電流電能的半導(dǎo)體器件，是電力電子電路的重要執(zhí)行元件。 它的主要作用和特點(diǎn)包括： 高功率處理能力：能夠在高電壓（可達(dá)數(shù)千伏甚至更高）和大電流（可達(dá)數(shù)百甚至數(shù)千安培）的條件下工作。主要作用是轉(zhuǎn)換、分配和管理電能，而非處理微弱信號(hào)。 開(kāi)關(guān)作用：最常見(jiàn)的功能是作為開(kāi)關(guān)。它需要能快速地開(kāi)啟（導(dǎo)通）或關(guān)閉（關(guān)斷）高功率的電能流，控制電能輸送到負(fù)載的時(shí)間或大小。效率是關(guān)鍵：理想狀態(tài)下導(dǎo)通時(shí)電阻極?。▔航档汀p耗?。P(guān)斷時(shí)電阻極大（漏電流極小、損耗小）。 承受大功耗，需要高效散熱：由于工作在高壓大電流下，即使效率很高，器件本身也會(huì)產(chǎn)生較大的熱...

從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為**的電力電子器件，主要用于相控電路。這些電路十分***地用在電解、電鍍、直流電機(jī)傳動(dòng)、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁等整流裝置中，與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比，不僅體積小、工作可靠，而且取得了十分明顯的節(jié)能效果（一般可節(jié)電10～40%，從中國(guó)的實(shí)際看，因風(fēng)機(jī)和泵類負(fù)載約占全國(guó)用電量的1/3，若采用交流電動(dòng)機(jī)調(diào)速傳動(dòng), 可平均節(jié)電20%以上，每年可節(jié)電400億千瓦時(shí)）,因此電力電子技術(shù)的發(fā)展也越來(lái)越受到人們的重視。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關(guān)斷晶閘管和功率晶體管,開(kāi)關(guān)速度快,控制簡(jiǎn)單，逆導(dǎo)可關(guān)斷晶閘管更兼容了可關(guān)斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術(shù)的應(yīng)用推進(jìn)...

20世紀(jì)50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發(fā)展起來(lái)的晶閘管，因其工作可靠、壽命長(zhǎng)、體積小、開(kāi)關(guān)速度快，而在電力電子電路中得到廣泛應(yīng)用。70年代初期，已逐步取代了汞弧閘流管。80年代，普通晶閘管的開(kāi)關(guān)電流已達(dá)數(shù)千安，能承受的正、反向工作電壓達(dá)數(shù)千伏。在此基礎(chǔ)上，為適應(yīng)電力電子技術(shù)發(fā)展的需要，又開(kāi)發(fā)出門極可關(guān)斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應(yīng)晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體有想公司的MOS管封裝可按其在PCB板上的安裝方式分為兩大類：插入式和表面貼裝式。插入式封裝中，MOSFET的管腳會(huì)穿過(guò)PCB板的安裝孔并與板上的焊點(diǎn)焊接，實(shí)現(xiàn)芯片與電路的連接。常見(jiàn)的插入式封裝類型包括雙列直插式封裝（DIP）、晶體管外形封裝（TO）以及插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）等。 插入式封裝插入式封裝中，MOSFET的管腳通過(guò)PCB板的安裝孔實(shí)現(xiàn)連接，常見(jiàn)的形式包括DIP、TO等。這種封裝方式常見(jiàn)于傳統(tǒng)設(shè)計(jì)，與表面貼裝式相對(duì)。其以可靠性見(jiàn)長(zhǎng)，并允許不同的安裝方式，但因插入式封裝需要在PCB板上鉆孔，增加了制造成本。 表面貼裝式封裝在表面貼裝技術(shù)中，MOSFET...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體MOS 管封裝形式及散熱性能分析 TO-247 封裝 TO-247 封裝與 TO-220 封裝類似，同樣屬于直插式封裝，但體積更大，引腳更粗。其散熱片面積也相應(yīng)增大，散熱能力更強(qiáng)，在自然對(duì)流條件下，熱阻約為 40 - 60℃/W 。TO-247 封裝能夠承受更高的功率，常用于功率在 50 - 150W 的大功率電路中，如工業(yè)電源、電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路等。不過(guò)，由于其體積較大，在一些對(duì)空間要求嚴(yán)格的電路板上使用會(huì)受到限制。 SOT-23 封裝 SOT-23 封裝是一種表面貼裝封裝（SMT），具有體積小、占用電路板面積少的優(yōu)勢(shì)。它的引腳數(shù)量較少，一般為 ...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體提供專業(yè)選型服務(wù) 封裝選擇關(guān)鍵因素 功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。 中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。 **功率（信號(hào)級(jí)）：SOT-23、SC-70。 散熱條件 需要強(qiáng)制散熱或大面積PCB銅箔散熱時(shí)，優(yōu)先選帶散熱片的封裝（如TO-247、D2PAK）。 自然散熱場(chǎng)景可選SO-8或QFN（需優(yōu)化PCB散熱設(shè)計(jì)）。 空間限制 緊湊型設(shè)備（如手機(jī)、穿戴設(shè)備）：QFN、SOT-23。 工業(yè)設(shè)備或電源模塊：TO系列或D2PAK。 高頻性能 高頻應(yīng)用（>1MH...

各種電力電子器件均具有導(dǎo)通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽(yáng)極)器件，其器件電流由伏安特性決定，除了改變加在二端間的電壓外，無(wú)法控制其陽(yáng)極電流，故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件，其門極信號(hào)能控制元件的導(dǎo)通，但不能控制其關(guān)斷，稱半控型器件?？申P(guān)斷晶閘管、功率晶體管等器件，其門極信號(hào)既能控制器件的導(dǎo)通，又能控制其關(guān)斷，稱全控型器件。后兩類器件控制靈活，電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)速度快，廣泛應(yīng)用于整流、逆變、斬波電路中，是電動(dòng)機(jī)調(diào)速、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁、感應(yīng)加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的重要部件。這些器件構(gòu)成裝置不僅體積小、工作可靠，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%)。采...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體MOS 管封裝形式及散熱性能分析 TO-247 封裝 TO-247 封裝與 TO-220 封裝類似，同樣屬于直插式封裝，但體積更大，引腳更粗。其散熱片面積也相應(yīng)增大，散熱能力更強(qiáng)，在自然對(duì)流條件下，熱阻約為 40 - 60℃/W 。TO-247 封裝能夠承受更高的功率，常用于功率在 50 - 150W 的大功率電路中，如工業(yè)電源、電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路等。不過(guò)，由于其體積較大，在一些對(duì)空間要求嚴(yán)格的電路板上使用會(huì)受到限制。 SOT-23 封裝 SOT-23 封裝是一種表面貼裝封裝（SMT），具有體積小、占用電路板面積少的優(yōu)勢(shì)。它的引腳數(shù)量較少，一般為 ...

SGT MOS結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)電場(chǎng)優(yōu)化與高耐壓： 屏蔽柵的電場(chǎng)屏蔽作用：屏蔽柵將漏極的高電場(chǎng)從控制柵下方轉(zhuǎn)移至溝槽側(cè)壁，避免柵氧化層因電場(chǎng)集中而擊穿。橫向電場(chǎng)均勻化：通過(guò)電荷平衡技術(shù)（類似超結(jié)原理），漂移區(qū)的電場(chǎng)分布從傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的“三角形”變?yōu)椤熬匦巍保?**提升擊穿電壓（BV）。 BV提升實(shí)例：在相同外延層參數(shù)下，SGT的BV比傳統(tǒng)溝槽MOS提高15%-25%（例如原設(shè)計(jì)100V的器件可達(dá)120V）。低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：垂直電流路徑：消除平面MOS中的JFET效應(yīng)，漂移區(qū)電阻（Rdrift）降低40%-60%。短溝道設(shè)計(jì)：分柵結(jié)構(gòu)允許更短的溝道長(zhǎng)度（可至0.1μm以下），溝道...