由于193nm沉浸式工藝的延伸性非常強,同時EUV技術耗資巨大進展緩慢。EUV(極紫外線光刻技術)是下一代光刻技術(<32nm節(jié)點的光刻技術)。它是采用波長為13.4nm的軟x射線進行光刻的技術。EUV光刻的基本設備方面仍需開展大量開發(fā)工作以達到適于量產的成熟水平。當前存在以下挑戰(zhàn):(1)開發(fā)功率足夠高的光源并使系統(tǒng)具有足夠的透射率,以實現并保持高吞吐量。(2)掩模技術的成熟,包括以足夠的平面度和良率制**射掩模襯底,反射掩模的光化學檢測,以及因缺少掩模表面的保護膜而難以滿足無缺陷操作要求。(3)開發(fā)高靈敏度且具有低線邊緣粗糙度(LineEdgeRoughness,LER)的光刻膠。 [3]但是同時引入了衍射效應,降低了分辨率。1970后適用,但是其最大分辨率為2~4μm。高新區(qū)本地光刻系統(tǒng)批量定制
極紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常稱作EUV光刻,它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。極紫外光刻(英語:Extreme ultra-violet,也稱EUV或EUVL)是一種使用極紫外(EUV)波長的下一代光刻技術,其波長為13.5納米,預計將于2020年得到廣泛應用。幾乎所有的光學材料對13.5nm波長的極紫外光都有很強的吸收,因此,EUV光刻機的光學系統(tǒng)只有使用反光鏡 [1]。極紫外光刻的實際應用比原先估計的將近晚了10多年。 [2]南通銷售光刻系統(tǒng)規(guī)格尺寸對準方法:a、預對準,通過硅片上的notch或者flat進行激光自動對準;
得指出的是,EUV光刻技術的研發(fā)始于20世紀80年代。**早希望在半周期為70nm的節(jié)點(對應邏輯器件130nm節(jié)點)就能用上EUV光刻機 [1]。可是,這一技術一直達不到晶圓廠量產光刻所需要的技術指標和產能要求。一拖再拖,直到2016年,EUV光刻機仍然沒能投入量產。晶圓廠不得不使用193nm浸沒式光刻機,依靠雙重光刻的辦法來實現32nm存儲器件、20nm和14nm邏輯器件的生產。不斷延誤,對EUV技術來說,有利也有弊。一方面,它可以獲得更多的時間來解決技術問題,提高性能參數;另一方面,下一個技術節(jié)點會對EUV提出更高的要求。
b、接近式曝光(Proximity Printing)。掩膜板與光刻膠層的略微分開,大約為10~50μm??梢员苊馀c光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時引入了衍射效應,降低了分辨率。1970后適用,但是其最大分辨率*為2~4μm。c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉移圖形的4倍制作。優(yōu)點:提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影響減小。投影式曝光分類:納米級電子束光刻系統(tǒng)(如JEOL JBX-6300FS)維護需原廠或指定服務公司提供 [4]。
光刻機系統(tǒng)是材料科學領域的關鍵設備,通過光學成像原理將掩模版上的微細圖形精確轉移到光刻膠表面。系統(tǒng)配置1Kw近紫外光源與6V/30W顯微鏡燈適配器,配備氣動防震臺保障精密操作環(huán)境,其技術參數截至2020年11月24日仍在使用 [1]。通過光化學反應將掩模版上的圖形轉移至光刻膠上 [1]。系統(tǒng)采用光敏材料與精確曝光技術結合的方式完成圖形復制。(截至2020年11月24日更新數據)1.光源系統(tǒng)輸出功率:1千瓦級近紫外光(NUV)配套適配器:6V直流供電,額定功率30W2.穩(wěn)定裝置目的:使表面具有疏水性,增強基底表面與光刻膠的黏附性。南通購買光刻系統(tǒng)多少錢
是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔,以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。高新區(qū)本地光刻系統(tǒng)批量定制
兩種工藝常規(guī)光刻技術是采用波長為2000~4500埃的紫外光作為圖像信息載體,以光致抗蝕劑為中間(圖像記錄)媒介實現圖形的變換、轉移和處理,**終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質層上的一種工藝。在廣義上,它包括光復印和刻蝕工藝兩個主要方面。①光復印工藝:經曝光系統(tǒng)將預制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置,精確傳遞到預涂在晶片表面或介質層上的光致抗蝕劑薄層上。②刻蝕工藝:利用化學或物理方法,將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質層除去,從而在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的,因而光刻工藝總是多次反復進行。例如,大規(guī)模集成電路要經過約10次光刻才能完成各層圖形的全部傳遞。在狹義上,光刻工藝*指光復印工藝,即從④到⑤或從③到⑤的工藝過程高新區(qū)本地光刻系統(tǒng)批量定制
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